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| 臻宝科技(688797)经营总结 | | 截止日期 | 2026-06-30 | | 信息来源 | 2026年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
2026年上半年，公司持续深化“以客户为中心、以创新为动力”的核心战略，秉持“成为中国领先、世界一流的半导体部件解决方案智造者”的愿景，依托“原材料+零部件+表面处理”一体化业务平台，扎实推进技术研发、产品验证、客户拓展与产能建设，积极把握半导体产业链自主可控的行业机遇，稳步落实各项经营规划。
2026年上半年，全球半导体产业处于结构性复苏阶段，AI算力需求持续拉动存储、先进逻辑芯片需求扩张，但行业仍持续受到复杂地缘政治环境的扰动。美国国会推进MATCH法案立法进程，拟推动盟国协同收紧半导体制造设备及配套供应链的出口管制，进一步倒逼国内晶圆制造产业链加快供应链本土化与多元化备份布局。与此同时，受益于算力芯片需求爆发，全球头部存储厂商资本开支计划上调，国内重点存储制造企业持续推进上市进程，融资落地后有望开启新一轮产能扩张规划；国内逻辑、存储及特色工艺晶圆厂亦持续推进先进产线建设与存量产线升级改造。
下游需求扩张叠加供应链安全诉求提升，为半导体真空腔体消耗性零部件国产份额提升创造了广阔的市场空间。但同时，晶圆制造产线建设周期较长，从土建、洁净室搭建、设备搬入到产能爬坡需经历较长周期，下游资本开支向日常运行所消耗的零部件订单传导存在一定时滞，行业需求释放呈现结构性、渐进式特征。
报告期内，公司经营稳步推进，核心客户合作黏性持续增强；本期实现营业收入48,352.85万元，同比增长31.98%；实现归属于母公司所有者的净利润10,711.43万元，同比增长25.74%。
公司持续聚焦等离子刻蚀、薄膜沉积设备核心消耗零部件主业，稳步推进新产品验证、工艺迭代与高端技术产业化，产品结构持续优化，高附加值产品收入占比稳步提升。
（一） 产品研发迭代与市场拓展情况
1、高致密先进涂层业务持续产业化落地
公司依托“原材料+零部件+表面处理”一体化核心平台，将耐等离子先进涂层业务作为零部件高附加值延伸的核心赛道重点布局，业务覆盖半导体刻蚀、薄膜沉积真空腔体零部件的表面涂层制备需求，构建了全层级、多品类的涂层工艺体系，可适配成熟制程至先进制程的全场景工艺要求。
半导体零部件涂层技术可划分为三大层级：第一类为基础机械与化学处理工艺，包括抛光、喷砂、精密研磨、阳极氧化等，主要用于零部件基底平整化、表面粗糙度优化与基础防腐改性；第二类为常规热喷涂工艺，以APS大气等离子熔射、电弧铝熔射为代表，沉积效率高、涂层厚度可控，可快速制备氧化钇、氧化铝等防护涂层，有效抵御等离子腐蚀，亦是目前行业应用最广泛的涂层工艺；第三类为高致密涂层工艺，涵盖AD、PVD、CVD及ALD等沉积技术，可满足高端零部件高精度、低颗粒、高耐蚀的严苛要求，主要应用于14nm及以下先进逻辑制程及高堆叠先进存储制程的核心零部件防护。
公司是行业内少数全面布局多类型涂层工艺的企业，业务体系覆盖基底精密机械处理、阳极氧化等化学处理、等离子热喷涂及高致密涂层制备全链条工艺，覆盖Y₂O₃、Al₂O₃、YOF及YAG等主流涂层材料体系，能够根据不同制程、不同工艺场景定制涂层方案，有效提升零部件抗氟氯等离子腐蚀能力，降低腔体颗粒缺陷、延长耗材使用寿命。目前，公司高致密涂层技术已实现商业化销售，依托自有陶瓷烧结基底开展涂层加工，打通“陶瓷造粒+成型工艺+烧结工艺+高致密涂层”一体化路径，涂层孔隙率、结合强度、刻蚀速率等关键性能参数达到国际先进水平，多款产品持续在多家重点客户端开展工艺验证。
2、碳化硅零部件业务快速增长
碳化硅零部件为公司重点布局的高端业务增长板块，公司打通自产CVD-SiC原材料制备、超硬碳化硅精密加工、先进表面处理一体化全链条技术能力，已具备SolidSiC大批量订单持续稳定交付能力。报告期内，公司碳化硅零部件销售收入快速增长，持续导入先进制程刻蚀设备真空腔体，相关客户订单实现稳步增长。
在固态碳化硅（SolidSiC）研发与产业化方面，公司实现高纯CVD-SiC气相沉积成套工艺技术突破。通过前驱体组分精细化调控、沉积腔体热场重构优化、沉积压力与温度体系协同管控，建成稳定量产产线；制备基材综合性能优异，纯度、密度及热导率达国内领先水平，可根据下游工艺工况定制不同电阻率、不同厚度规格产品，适配先进半导体设备多元化零部件应用需求。针对等离子腔体SiC气体分配盘（ShowerHead）核心零部件应用场景，公司攻克专属沉积工艺，实现低透光固态SiC基材规模化量产，为高端刻蚀设备进气关键部件提供国产化材料解决方案。
3、硅、石英零部件持续迭代夯实基本盘
硅、石英零部件作为公司基石业务，持续开展料号系列化迭代开发。公司紧密配合下游客户持续改进项目（CIP），根据客户工艺升级需求持续开发新料号，同步优化现有产品纯度、尺寸精度及表面品质，持续巩固在刻蚀腔体核心耗材领域的供应份额，保障存量业务稳定贡献收入。本报告期内，公司硅、石英零部件销售收入同比增长46%。
4、客户拓展有序推进
报告期内，公司持续践行以终端直接配套为主、设备厂商合作为补充的业务发展模式。存量头部客户方面，公司已基本覆盖国内主流晶圆制造厂商及存储IDM厂商，持续深化多层次业务协同，加快新产品导入节奏，不断丰富零部件供应品类，提高单客户供应份额，深度挖掘存量客户业务价值。得益于前期产品送样验证落地、海外供应链交付周期拉长带来订单回流，部分半导体客户业务规模实现较快同比增长。新增客户开拓层面，公司在部分新建晶圆代工项目认证工作顺利推进，已逐步实现量产供货；紧跟存量客户新建产线配套需求，于多家战略级先进制程客户取得业务突破，半导体零部件及表面处理业务完成验证导入，相关业务同比增幅显著。设备端客户拓展取得实质性进展，公司顺利进入国内头部设备厂商供应链，半导体零部件产品实现批量交付，对应业务收入同比大幅提升；同时在先进封装领域完成关键技术与客户突破，后续随着晶圆级封装、测试产业规模持续扩张，有望为公司培育新的收入增长极。此外，公司积极响应外资晶圆制造基地供应链本土化诉求，有序推进海力士（大连）、台积电（南京）等重点客户的认证导入工作，进一步拓宽整体客户覆盖边界。
（二） 生产及研发基地建设有序推进
截至本报告出具日，公司对相关募投项目前期建设工作已先行开展，三期生产基地项目A厂区已正式投入使用；三期生产基地项目B厂区建设稳步推进，预计2026年下半年部分投入使用，建成后将进一步扩充精密零部件加工与表面处理产能。同时，公司已于2026年7月30日取得武汉东湖新技术开发区工DK（2026-04）04号地块，计划于2026年下半年正式启动武汉研发生产基地建设，具体内容详见公司于2026年8月8日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告》（公告编号：2026-007）。武汉基地建成后将就近服务华中区域晶圆制造客户及存储IDM客户，缩短交付周期，提升客户工艺迭代及零部件CIP改良的响应效率。
武汉研发及生产基地效果图公司所有产能规划均结合下游半导体行业景气度、客户扩产节奏、自身产能建设进度及研发产业化落地进度综合审慎制定。半导体晶圆制造产能扩张具有行业规律，下游晶圆、存储厂商扩产周期较长，需依次经历厂区土建、洁净车间装修、设备搬入、调试、小批量试产及产能爬坡等多个阶段，土地招拍挂及环评公示是观察下游扩产落地的核心先行指标。公司产能建设始终坚持以客户需求为导向，紧密跟进国内主流晶圆代工厂及存储制造厂商扩产进度，匹配客户产能落地节奏配套建设零部件产线，力求实现产能与下游需求的高效匹配。
（三） 营运管理持续优化，推进精益化、智能化生产
报告期内，公司持续推行精益生产管理体系，不断优化生产流程、提升良率、控制制造损耗；持续推进产线自动化与智能化改造，逐步引入自动化加工设备、智能检测设备及数字化生产管理系统，提升精密加工一致性与生产交付效率；完善供应链管理体系，稳定上游关键原材料供应；强化研发项目全流程管控，缩短新产品从研发、试样到批量供货的导入周期；持续完善人才梯队建设，夯实研发、生产、销售核心团队能力，为中长期业务扩张提供有力支撑。
（四） 资本运作实现重大突破，登陆科创板开启发展新征程
2026年6月24日，公司成功于上海证券交易所科创板挂牌上市，顺利完成首次公开发行。
本次上市是公司发展历程中的重要里程碑：一方面，成功登陆资本市场打通了直接融资渠道，资本实力显著增强，为募投项目建设、前沿技术研发攻关及产能有序扩张提供充足的资金保障；另一方面，上市带来的市场影响力跃升，有助于公司吸引高端人才、深化与产业链核心客户的战略合作。
本次募集资金扣除发行费用后，主要投向半导体及泛半导体精密零部件及材料生产基地项目、臻宝科技研发中心建设项目、上海臻宝半导体装备零部件研发中心项目及半导体零部件研发生产基地项目（超募项目）。项目建成后，公司将扩大硅、石英、碳化硅、氧化铝陶瓷等核心零部件产能，加速上游关键半导体材料、静电卡盘、氮化铝陶瓷加热器、高致密耐蚀涂层等新产品研发与产业化落地，持续完善“原材料+零部件+表面处理”一体化业务平台。产能规模与技术能力的双轮提升，不仅支撑公司自身业务持续扩张，更能够增强面向国内晶圆制造厂商的批量稳定供货能力，保障下游产线耗材持续供应，助力国内半导体真空腔体零部件供应链自主可控。
公司将严格遵守募集资金管理相关制度，规范、高效使用募集资金，保障募投项目顺利实施，持续夯实公司核心竞争力。
非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
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