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| *ST闻泰(600745)经营总结 | | 截止日期 | 2026-06-30 | | 信息来源 | 2026年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
2026年上半年，公司半导体业务整体呈现下游需求高景气、供给端约束显著的供需错配格局。
新能源汽车、工业自动化、新型储能、AI算力基础设施四大核心下游赛道持续保持旺盛增长态势，公司主营晶体管（含ESD/TVS等电路保护器件）、MOSFET功率器件、模拟及逻辑IC等全系列产品深度匹配各领域功率半导体增量需求；但受制于安世境外相关主体控制权受限、原有海外晶圆直供渠道中断，叠加国内合作伙伴替代晶圆产线仍处于工艺导入、产能爬坡周期、公司可交付料号、实际出货规模及整体产能利用率未能同步跟上市场需求扩张节奏，旺盛下游订单未能充分转化为当期营业收入与利润，上半年经营压力主要来源于供给端产能约束，并非终端需求疲软。
行业层面，根据WSTS发布的2026年第二季度最新统计及预测报告，2026年全球逻辑、模拟、分立半导体市场销售额将分别同比增长42%、11%、12%，公司主营晶体管、MOSFET、模拟及逻辑IC均对应上述高景气赛道。上述行业增长预测仅反映全球市场整体趋势，不直接等同于公司业绩增速，但充分印证功率分立、模拟、逻辑器件赛道具备持续增量空间，待国内晶圆配套产能爬坡完成、供给约束缓解后，公司具备充足市场与订单基础承接行业增量。
1、经营表现
2026年上半年，上市公司实现营业收入15.14亿元，实现归属于上市公司股东的净利润-4.06亿元；公司半导体业务实现营业收入14.86亿元、业务毛利率为24.38%，本期业绩同比大幅下滑主要存在两方面核心因素：一是合并报表范围与主营业务结构发生根本性变化，2025年上半年公司同时经营半导体、产品集成两大业务板块且安世境外相关主体纳入合并报表，营收基数较高，而2026年上半年公司已基本完成产品集成业务资产交割剥离，且安世境外主体不再纳入合并范围，仅留存境内半导体经营主体开展运营，合并营收规模因此大幅收缩；二是2026年上半年公司全面推进海外晶圆向国产供应链切换，国产晶圆工艺导入、产线产能爬坡、对应产品客户转厂认证与实际销售收入转化均需要时间周期，多重环节叠加导致公司可交付产品料号、有效出货量及产能利用率阶段性受限，下游旺盛订单难以充分转化为当期营收与利润，同时，公司整体固定运营成本、债务利息等刚性支出较大，进一步拖累合并报表利润表现。
从产品与产能维度看，受安世境外主体控制权受限影响，报告期内晶体管产品线（包括保护类器件ESD/TVS等）境外晶圆直供仍处于中断状态，公司主要通过消化前期库存保障交付，该类产品在半导体业务中收入占比约52.92%；MOSFET产品依托安世东莞封测工厂产能爬坡，实现出货规模稳步提升，该类产品在半导体业务中收入占比约38.47%；模拟与逻辑IC产品收入占比约为5.90%；其他收入占比约2.71%。面对供应链阶段性挑战，公司全力推进供应链本土化建设，加快提升国产晶圆合作伙伴的产品认证与产能覆盖水平。2026年上半年，公司已实现MOSFET、逻辑IC等产品的中国区供应链闭环，并全面推进晶体管（包括保护类器件ESD/TVS等）产品向12英寸工艺平台升级，产能供应将在2026年下半年逐步释放，供应链成本也有望得到优化。
从销售地区来看，本期公司半导体业务收入按照履约结算地区口径主要来自中国境内市场，部分原先面向海外区域的客户调整合作模式，直接和境内经营主体签订采购协议、完成货款结算，该部分营收统一归入国内区域进行核算。与此同时，公司已逐步打开海外销售渠道，取得约0.49亿元海外渠道销售收入；以客户业务归属地作为统计口径拆分，2026年上半年境内、境外对应的收入占比分别约为55%、45%。国内市场经营根基稳固，新能源汽车、工业控制、AI服务器、数据中心等核心下游赛道需求具备充足韧性，为本板块业务运营提供有力支撑。
从下游应用领域看，报告期内半导体业务收入来源于汽车、计算机设备、消费电子、工业与电力、大众市场及分销渠道及其他，收入占比分别为38.9%、12.7%、11.2%、2.4%、32.3%及2.5%，本期各应用板块营收结构相较于往期正常经营阶段存在较为明显差异，主要由现阶段晶圆供应链切换、国产产线导入爬坡、可交付产品料号受限等供给端因素造成；当前收入结构属于产能约束环境之下的阶段性状态，并不代表业务长期稳态结构，后续伴随国产晶圆供应链落地完善、可供货产品料号补齐、整体产能持续爬坡释放，下游各应用板块的收入占比有望向着历史常规经营区间逐步收敛。
2、行业应用方向与市场机会
伴随下游各产业对半导体芯片的依存度持续提升，公司半导体板块中长期具备向好的成长空间。以汽车行业为例，公司产品已广泛应用于驱动系统、电源系统、电控系统、智能座舱系统和高级别辅助驾驶等多个关键领域。在现有的客户案例中，单车应用芯片数量最高超过1,500颗。
随着汽车电动化、智能化趋势的不断推进，以及公司产品料号和平台覆盖范围的持续扩展，未来业务增长空间仍然广阔。总体而言，汽车功率半导体市场处于持续上行通道。
汽车功率芯片的发展前景主要体现在两大维度，一是汽车智能化进入规模化落地阶段，2026年各大车企加速推进高阶辅助驾驶普及并将城市NOA等功能下探至主流平价车型，智能化硬件渗透节奏持续快于电动化进程，激光雷达、车载摄像头、毫米波雷达、智驾域控制器装车量快速增长，直接带动功率半导体需求提升。以激光雷达为例，电源稳压、浪涌防护、高频开关、窄脉冲生成、电磁防护等环节均需搭载LDO、DC/DC、MOSFET、栅极驱动器、二极管、ESD等器件，单台激光雷达搭载功率器件数量接近200颗；二是全球电动化长期发展路径清晰，2026年以来国际油价上行进一步凸显新能源车使用成本优势，海内外车企电动转型步伐持续加快，2026年上半年国内新能源汽车销量同比增长7.3%、渗透率提升至49.6%，新能源汽车出口同比大增120%，欧洲市场燃油车型占比持续下滑，混动、纯电车型成为市场主力，欧盟采用2025至2027三年均值核算碳排放、保留中长期减排目标，头部车企持续落地全新纯电车型，Marklines预测2027年全球轻型燃油车占比或将首次低于50%，高盛预判2030年全球新能源汽车渗透率有望突破50%，伴随整车迭代，车辆功率负载将由当前3～4kW提升至9～12kW，整车电气架构同步由12V向48V演进，对功率器件性能要求持续提高，在汽车电动化、智能化双轮驱动的行业浪潮下，公司半导体业务将持续充分受益，迎来广阔增长机遇。
工业和消费电子市场伴随着AI的发展逐渐复苏，全球AI数据中心的建设热度持续升高。每个数据中心的电力需求普遍达到兆瓦级，在此背景下，功率器件在不间断电源（UPS）、备用电源（BBU）、服务器电源（PSU）以及板卡供电等多层级供电体系中发挥着至关重要的作用。兆瓦级机架也带动了数据中心配电方案向800V高压直流（HVDC）方案演进，HVDC模块功率密度、转换效率大幅度提升，同时具备更强的通信能力，与电网侧的固态变压器（SST）实现端到端智能协同，确保能源从接入到消耗的全过程透明、可控。电源转换效率每提升1个百分点，便可为单个AI数据中心节省数百万美元的电力成本。公司在该领域的二极管、MOSFET、保护器件、电源管理IC等产品获得了广泛应用，充分展现了技术与产品的竞争力。向微观实践看，AI终端设备如可穿戴设备、AR/VR眼镜、智能手机、笔记本电脑等对尺寸和功耗有更高要求。公司不仅在电源管理、电压转换和电路保护等传统领域持续优化产品性能和封装形式，还积极探索能量回收技术，推出一系列能量采集电源管理芯片，帮助穿戴设备和AIoT产品延长电池寿命，降低污染和成本。
AI技术快速迭代持续赋能机器人产业发展，行业应用场景从传统工业协作、仓储物流、酒店商用服务逐步拓展至教育、医疗、智能家居等多元领域，通用人形机器人具备长期爆发式增长潜力，短期虽受环境感知、灵巧操作等技术条件约束，但伴随世界模型等前沿技术持续突破，行业正由概念验证加速走向实用化落地；摩根斯坦利预测全球机器人硬件市场2025年规模约1,000亿美元，2030年有望提升至5,000亿美元，2050年或将达到25万亿美元，其中人形机器人硬件收入2025年约30亿美元，2040年有望达2,009亿美元，2050年增长至7,510亿美元，功率、模拟及逻辑半导体是机器人高效运转、安全交互的核心硬件基础，电池充放电、电池管理、关节电机控制、传感器处理、人机交互、通信安全等全部核心环节均需配套MOSFET、栅极驱动器、ESD、LDO、二极管、逻辑IC等产品，公司在工业、商用机器人赛道积累长期稳定客户资源，依托成熟车规级高可靠、高安全生产质控体系，在人形机器人高频交互、高安全标准的应用场景中形成鲜明竞争优势，充分受益机器人行业规模化发展红利。
3、研发与产品线进展
境外晶圆供应渠道中断后，公司自2025年第四季度起集中开展晶体管晶圆替代方案攻关，并于2026年一季度末与中国战略合作伙伴达成合作，顺利完成12英寸晶圆工艺平台导入，同步推进新产品验证及量产导入工作。受供应链调整影响，报告期内MOSFET、逻辑与模拟IC产品交付节奏阶段性承压，相关变化在上半年产品收入结构中有所体现。随着供应链优化的持续推进，上述两类产品供货连续性逐步改善；晶体管产品的供应预计将于2026年下半年陆续恢复常态。
报告期内，公司依托中国战略合作伙伴的12英寸晶圆平台保障产品持续交付，同步推进现有产品线迭代升级，并加速布局高压分立器件与模块、模拟IC组合、功率管理IC及信号调节IC等新产品，匹配市场对高性能、大功率半导体器件的需求。依托国内完整供应链体系，公司将持续优化产品整体成本结构，提升产品市场竞争力。截至本报告出具日，目前多款中低压MOS、IGBT、晶体管新品样品已完成制备送样，主要面向AIDC、新能源汽车等下游客户需求；公司计划于第四季度集中推出更多新品，进一步完善各应用领域产品供给。
在晶体管与保护类器件方面，截至本报告出具日，公司已成功实现部分12英寸晶圆双极型二极管、三极管研发设计与量产，是全球首家掌握该项核心技术与量产能力的企业。上半年公司针对原有6英寸、8英寸晶圆制程的主流产品推进全面迭代升级，目前已有数十个核心平台完成新品开发或处于研发推进阶段，覆盖各类小信号二极管、晶体管、保护器件、各类功率器件全品类。
依托12英寸晶圆架构及升级迭代的先进工艺、生产设备，产品电气参数一致性与运行可靠性将实现全方位提升，成本具备长期的竞争力。
在MOSFET功率管方面，公司依托中国战略合作伙伴实现了12英寸晶圆上MOS工艺平台升级，新工艺平台下MOS产品的成本和产品性能得到极大优化。新推出的基于先进SGT平台打造的T2x系列MOSFET，达到了世界领先的性能。该系列器件在同样封装情况下具备极致通流能力，可显著提升终端整机功率密度，相同安装体积内可实现较传统T6系列MOS两倍以上的功率承载上限。产品线同步从40V规格向80V、100V中高压区间延伸，有力匹配新能源汽车、AI服务器、人形机器人各类48V电气架构的升级需求。公司发布了40-100V汽车MOSFET产品组合，采用行业标准引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防反保护及LED照明应用设计，相关新品已导入国内头部新能源车企及AI设备客户，实现批量供货。
在下一代IGBT技术研发布局上，公司持续推进1,200VFS8系列IGBT开发工作。该系列定位下一代IGBT工艺平台，样品实测性能优于市面第七代IGBT产品，目前该系列正开展最终可靠性验证，有望成为全球首款全维度满足车规标准的新一代IGBT。与此同时，FS8系列高速型号同样适配AI算力基础设施场景，高速版本的1,200VFS8IGBT开关特性接近碳化硅器件，兼具更优运行可靠性与成本优势，可为数据中心供电方案提供差异化器件选型。
逻辑及模拟芯片方面，公司稳步推进自主可控供应链建设，依托合作伙伴实现了12英寸晶圆上的工艺平台升级，产品的性能和成本得到了较大优化。当前12英寸平台量产逻辑芯片料号超1,300颗，覆盖消费电子、工业、汽车、AI多类应用，预计四季度完成近3,000颗存量产品的平台迭代更新。全新HCS系列逻辑芯片产品性能业界领先，具备低噪声、低延时、高可靠特性，针对性适配各类AI硬件应用；电源管理IC聚焦AI算力、新能源汽车赛道，推出针对AI服务器应用的48V热插拔控制器，搭配分立器件形成全球领先的一站式热插拔方案。车载多通道LED驱动器已实现量产交付，全系列产品满足ISO26262ASIL-B功能安全等级。
报告期内，公司持续深耕12英寸晶圆工艺平台的分立器件与功率模组开发，进一步拓展AI服务器电源、消费电子电源的产品布局与落地，实现了多项新产品的突破：在分立器件方面，基于12英寸晶圆工艺平台的双极分立器件平台成功验收并实现小批量量产，单基板芯片产量较8英寸提升两倍以上。在高电压、高功率IGBT模组方面，公司于报告期内按计划实现该系列模组产品在12英寸车规级晶圆平台的量产，为国产供应链的自主可控与产能保障奠定了坚实基础。
在AI服务器电源领域，公司成功推出NEXH5890宽输入电压高功率热插拔控制器。该产品支持9V至80V宽压输入，完整适配12V、24V、48V主流服务器供电架构；该产品搭载高达1.5A的最大栅极灌电流，可直接驱动最多10颗功率MOSFET并联运行，无需额外外置驱动电路，灵活适配500W至10kW以上的宽功率范围，覆盖从低功耗边缘服务器到高功率AI算力托盘的全场景需求。其内置12位高精度ADC，全温域下系统级电流测量误差低于2%，配备独立IMON引脚，省去外围电流检测放大器；兼容PMBus通信接口（1MHz）并内置MTP非易失性存储器，可实现供电状态远程实时监控与参数在线调试，大幅简化电路设计并降低BOM成本，外围器件数量减少30%以上。针对服务器电源（PSU）前级功率因数校正环节，公司同步推出NEX83X88系列高功率密度PFC控制器，首次将基于平均电流模式（ACM）的自适应可变导通时间控制引入CRM架构，从控制原理层面降低电感电流峰值，所需电感量减少近40%，磁芯由ATQ2516缩减至ATQ18，实现电感体积真正减半；整版PCB尺寸仅70mm×50mm，占用面积减少近40%，整机功率密度提升35%以上。输出纹波噪声Vpp<15V（优于行业<20V标准），支持最高260kHz开关频率且驱动输出兼容GaNHEMT器件。该系列覆盖百瓦级到千瓦级全功率段，适用于工业电源、医疗电源、服务器电源、TV电源及消费类电源等应用场景。
在封装技术方面，面向AI数据中心供电架构从48V向±400V/800V直流母线演进的技术趋势，公司持续深化CCPAK铜夹片封装的热机械可靠性设计，为下一代兆瓦级机柜供电部署提供从器件到系统的完整解决方案。
在消费电子电源领域，公司于报告期内推出NEX10058三通道AMOLED偏置电源IC，输出电流高达1A，支持1600nits超高亮度场景。凭借超低导通电阻设计，其导通损耗较竞品降低近一半，输入电压范围适配硅负极电池等新一代电池技术，采用WLCSP25超小封装，关键性能指标处于市场领先地位。
同时，在中长期技术平台与产品布局方面，公司正与12英寸晶圆战略合作伙伴协同开发车规级40VV-BCD、120V高压BCD等工艺平台，以进一步支撑公司在新能源汽车和AI服务器电源领域的中长期产品布局，持续提高技术平台与产品竞争力。
4、行业地位与荣誉
根据芯谋研究《中国功率分立器件市场年度报告2025》，安世半导体（Nexperia）位居2025年全球功率分立器件营收第三（按功率器件营收）、安世半导体（中国）有限公司位居2025年中国本土IDM厂商TOP1（按功率器件营收）。
报告期内，公司聚焦功率半导体、车规芯片核心主业深耕经营，在技术创新、品牌价值、产业协同、团队建设等维度稳步精进，接连斩获多项行业重磅荣誉。
在技术创新方面，公司依托在功率半导体赛道的综合贡献获评“年度半导体上市公司领航奖（功率半导体）”；凭借自主研发创新能力斩获“年度车规芯片技术突破奖”，1,200V车规级碳化硅（SiC）MOSFET产品技术水准与市场核心竞争力收获行业权威认可。
在品牌建设与企业价值层面，公司荣登“2025中国上市公司品牌500强”，品牌综合价值得到权威机构认证；依托稳健经营、技术创新与产业链深度融合的实践获评“年度领军企业奖”。
在产业运营与上下游协同方面，安世半导体（中国）深耕半导体原厂渠道建设与数字化服务革新，搭建贯通海内外客户的官方电商服务体系，以数字化模式重构原厂直供服务体系，获评“年度半导体原厂直供先锋品牌”；深化车企上下游协同合作，凭借优质配套服务与联合研发成果斩获奇瑞汽车“协同创新贡献奖”，车规级半导体业务的产业协同价值持续落地。
在团队建设方面，安世半导体（中国）获评“2026杰出雇主”奖项，彰显公司在人才梯队搭建、组织体系运营、雇主品牌打造等方面的建设成效收获专业权威认可。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
公司半导体业务原先采用全球布局的IDM垂直整合制造模式，前端晶圆制造产线主要位于德国、英国，后端封测基地主要位于中国东莞、马来西亚、菲律宾。2025年9月30日起，公司下属子公司安世半导体以及安世控股先后收到荷兰经济事务与气候政策部下达的部长令（Order）和阿姆斯特丹上诉法院企业法庭的裁决，具体内容请参阅公司2025年10月13日披露的《关于子公司经营管理情况暨公司股票复牌的公告》及2025年11月20日、2026年2月12日披露的《关于子公司经营管理情况的进展公告》。截至本报告期末，前述部长令虽已暂停执行，但企业法庭裁决依旧处于生效状态，上市公司对安世境外相关主体的控制权暂处于受限状态。目前，安世境外相关主体已不按照上市公司的指令开展业务，并向安世中国境内相关业务部门暂停晶圆供应，对公司生产制造的连续性造成影响。针对该重大不利事项，公司多措并举推进风险化解与权益维护：一方面持续开展多层级法律维权工作，持续在荷兰企业法庭相关司法程序中主张上市公司合法股东权益，同时已就相关损失向东莞市中级人民法院提起诉讼，后续不排除依据双边投资协定（BIT）进一步启动索赔程序，全方位追索相关损失；另一方面加速境内完整供应链体系搭建，依托国内自有封测产能、协同本土晶圆合作方保障对中国及全球客户的供应能力，最大限度维护公司及全体股东的合法权益。报告期内，公司持续推动产品工艺向12英寸晶圆平台迁移，MOSFET、逻辑及模拟IC两条产品线的晶圆供应紧张局面已得到持续缓解；公司预计，晶体管（含ESD、TVS等保护类器件）产品线晶圆供给缺口将自2026年下半年起逐步收窄。现阶段阿姆斯特丹上诉法院企业法庭的专项调查仍在推进，已生效的临时管控措施持续执行。相关法律程序还在继续发展，上市公司对安世境外经营主体的控制权存在不确定性，对安世境外主体的晶圆制造产线、研发资源、销售渠道的可使用权限也存在潜在影响。与此同时，东莞市中级人民法院正在审理的侵权诉讼后续裁判走向，亦会对公司未来经营产生相应影响，判决结果关乎安世主体管控权限、相关损失赔付、域外管控措施的解除进度，并作用于半导体供应链运转以及海外客户业务的经营推进。上述境内外司法事项的后续处置，均会对公司半导体业务布局、经营收益及整体发展规划构成重大影响。。
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