中财网 中财网股票行情
上证指数:0000.00 +0.00% 深成指数: 0000.00 +0.00% 恒生指数:0000.00 +0.00%
斯达半导(603290)经营总结    日期:
截止日期2019-06-30
信息来源招股说明书(申报稿)
经营评述
    业务与技术
    一、公司的主营业务、主要产品及设立以来的变化情况
    公司主营业务是以 IGBT 为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,并以 IGBT 模块形式对外实现销售。IGBT 模块的核心是 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片,公司自主研发设计的 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争
    力之一。
    自 2005 年成立以来,公司一直致力于 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片的设
    计和工艺及 IGBT 模块的设计、制造和测试,公司的主营业务及主要产品均未发生过变化。报告期内,IGBT 模块的销售收入占公司销售收入总额的 95%以上,是公司的主要产品。
    IGBT 作为一种新型电力电子器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革
    命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,其作用类似于人类的心脏,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。因此,IGBT 被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。
    由于 IGBT 对设计及工艺要求较高,而国内缺乏 IGBT 相关技术人才,工艺基础薄弱且企业产业化起步较晚,因此 IGBT 市场长期被大型国外跨国企业垄断,国内市场产品供应较不稳定;随着国内市场需求量逐步增大,供需矛盾愈发突显。
    我国政府于《中国制造 2025》中明确提出核心元器件国产化的要求,“进口替代”已是刻不容缓。公司作为国内 IGBT 行业的领军企业,不仅具备先进的模块设计及制造工艺,亦拥有自主研发设计国际主流 IGBT 和快恢复二极管芯片的能力,全面实现了 IGBT 和快恢复二极管芯片及模块的国产化。
    据 IHSMarkit 2018 年报告数据显示,在 2017 年度 IGBT 模块供应商全球市场份额排名中,斯达股份排名第 10 位,在中国企业中排名第 1 位,成为世界排
    名前十中唯一一家中国企业。具体情况如下图所示:
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-111
    图 6-1 全球 IGBT 模块市场供应商排名全球功率模块市场各供应商份额估计
    序号 企业名称 2017 年(%) 注册地
    1 英飞凌科技 22.40 德国
    2 三菱 17.90 日本
    3 富士电机 9.00 日本
    4 赛米控 8.30 德国
    5 安森美半导体 6.90 美国
    6 威科电子 3.60 德国
    7 丹佛斯 2.70 丹麦
    8 艾塞斯 2.60 德国
    9 日立 2.20 日本
    10 斯达股份 2.00 中国
    11 其他 22.30 -
    注:以上数据来源于 IHSMarkit 2018 年报告
    二、公司所处行业的基本情况
    公司的主营业务是以 IGBT 为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,并以 IGBT 模块形式对外实现销售,主要产品 IGBT 模块属于功率半导体器件。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》(2012 年修订),公司所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,行业代码为“C39”;根据国家统计局发布的《国民经济行业分类(2017 年修订)》(GB/T4754-2017),公司所属行业为半导体分立器件制造,行业代码为“C3972”。
    (一)行业主管部门、监管体制、行业主要法律法规及政策
    1、行业主管部门及监管体制
    本行业宏观管理部门为国家发改委,主要负责产业政策的制定,推进可持续发展战略,组织拟订高技术产业发展、产业技术进步的战略、规划和重大政策,协调解决重大技术装备推广应用等。
    工业和信息化部是半导体分立器件制造行业的主管部门,其主要职责包括:
    提出新型工业化发展战略和政策,协调解决新型工业化进程中的重大问题,拟订并组织实施工业、通信业、信息化的发展规划,推进产业结构战略性调整和优化嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-112升级;制定并组织实施工业、通信业的行业规划、计划和产业政策;监测分析工业、通信业运行态势,统计并发布相关信息,进行预测预警和信息引导;指导行业技术创新和技术进步,以先进适用技术改造提升传统产业等。
    协调指导本行业发展的行业协会主要有中国电器工业协会电力电子分会及
    中国半导体行业协会分立器件分会。行业协会履行行业管理职责,贯彻落实政府有关的政策、法规,协助政府开展行业统计、标准化、科技成果奖的评比、反倾销反补贴和保障措施等工作。
    2、行业主要法律、法规及政策目前,我国暂无针对 IGBT 行业的具体的法律及法规。同时,由于 IGBT 具有巨大的国内和国际市场,且在产业结构升级、节能减排、新能源等领域发挥着不可替代的重要作用,为了鼓励国内 IGBT 产业的发展,打破国外企业在此领域的垄断,增强科技创新能力,推进节能降耗,建设资源节约型和环境友好型社会,近年来,政府部门制订了一系列政策鼓励、促进国内 IGBT 行业的发展。
    序号 时间 发布机构 政策名称 内容概要
    1 2014 年 6 月 国务院《国家集成电路产业发展推进纲要》
    着力发展集成电路设计业,围绕重点领域产业链,强化集成电路设计、软件开发、系统集成、内容与服务协同创新,以设计业的快速增长带动制造业的发展
    2 2016 年 3 月
    十二届全国
    人大四次会议《国民经济和社会发展
    第十三个五年规划纲要》大力推进先进半导体等新兴前沿领
    域创新和产业化,形成一批新增长点
    3 2016 年 7 月中共中央办
    公厅、国务院办公厅《国家信息化发展战略纲要制定国家信息领域核心技术设备发
    展战略纲要,以体系化思维弥补单点弱势,打造国际先进、安全可控的核心技术体系,带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破
    4 2016 年 12 月 国务院《 “ 十 三
    五”国家战略性新兴产业发展规划》
    提出做强信息技术核心产业,提升核心基础硬件供给能力,推动电子器件变革性升级换代,加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发,包括 IGBT 在内的功率半导体分立器件产业将迎来新的一轮高速发展期
    5 2017 年 1 月 发改委《战略性新兴产业重点将集成电路芯片设计及服务列入战略性新兴产业重点产品目录
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-113
    序号 时间 发布机构 政策名称 内容概要产品和服务指导目录》
    6 2017 年 2 月国家发展和改革委员会《战略性新兴产业重点产品和服务
    指 导 目 录
    (2016 版)》
    重点支持电子核心产业,其中包括绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块
    (二)IGBT 行业基本特征
    IGBT 核心技术为 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片的设计和生产以及 IGBT
    模块的设计、制造和测试,IGBT 芯片和快恢复二极管芯片是 IGBT 模块的核心。
    1、集成电路(芯片)行业基本情况
    集成电路系采用特种电路设计及加工工艺,集成于半导体晶片上的微型电子电路产品。集成电路相比传统的分立电路,通过降低体积减小材料耗用量,大幅降低了制造成本,同时,其微小的体积及元件的紧密排布提高了信息的切换速度并降低了能耗,使得集成电路比分立电路在成本及效率上均有较大的优势。
    完整的集成电路产业链包括设计、芯片制造、封装测试等环节,各环节具有各自独特的技术体系及特点,已分别发展成独立、成熟的子行业。其中,集成电路设计系根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品,集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本。
    伴随现代信息技术产业的快速发展,集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心,已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业,在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用,是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持,我国集成电路产业快速发展,产业规模迅速扩大,技术水平显著提升,有力推动了国家信息化建设。
    IGBT 芯片和快恢复二极管芯片行业作为特殊的集成电路芯片,是能源变换
    与传输的核心器件,在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等行业发展中起到了关键作用。同时,在“工
    业 4.0”以及国家进口替代政策支持下,IGBT 行业将迎来巨大的发展机遇。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-114
    2、IGBT 基本情况介绍
    IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。
    它是由 BJT 和 MOSFET 组成的复合功率半导体器件,既有 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的,因而是电力电子领域较为理想的开关器件,是未来应用发展的主要方向。正是由于具有上述优点,IGBT 自 20 世纪 80 年代末开始工业化应用以来发展迅速,不仅在工业应用中取代了 MOSFET 和 GTR,甚至已扩展到 SCR及 GTO 占优势的大功率应用领域,还在消费类电子应用中取代了 BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。
    作为工业控制及自动化领域的核心器件,IGBT 模块在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等诸多领域都有广泛的应用。随着新能源汽车的发展以及变频白色家电的普及,IGBT 的市场热度持续升温。它不仅在工业应用中提高了设备的自动化水平、控制精度等,也大幅提高了电能的应用效率,同时减小了产品体积和重量,节约了材料,有利于建设节约型社会。
    3、IGBT 行业技术特点及技术水平
    IGBT 核心技术为 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片的设计和生产以及 IGBT
    模块的设计、制造和测试。芯片设计、生产和模块设计、制造和测试均为 IGBT模块的核心生产工序。
    (1)IGBT 芯片、快恢复二极管芯片的设计
    IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠
    性要求较高,同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降(控制热量)
    三者处于均衡状态,芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂。国内可以自主研
    发 IGBT 芯片的公司较少,目前,发行人已经成功研发出 FS-Trench 型 IGBT 芯片并实现规模化量产。
    快恢复二极管芯片是二极管芯片中的高端产品,需要对芯片的终端结构及有
    源区结构根据应用的要求进行优化设计,在保证芯片具有承受高电压、大电流能嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-115力的同时,还需要维持低于 200 纳秒的反向恢复时间及低的反向恢复损耗。目前,发行人已经成功研发出可多个芯片并联的快恢复二极管芯片,其具备正温度系数、漏电流小的特性,目前已成功应用于大功率工业级和车用级模块,打破了进口快恢复二极管芯片垄断的局面。
    (2)IGBT 芯片、快恢复二极管芯片的生产
    IGBT 芯片和快恢复二极管芯片生产步骤多,需要的生产设备较多,生产的
    组织、控制、设备调试等工作庞杂,如果缺乏相关经验需要较长时间的摸索才能掌握芯片的设计和生产工艺。
    目前部分代工厂经过和公司的多年合作,生产工艺已经成熟,可以根据公司提供的工艺流程和设计版图,生产出各项参数符合设计指标的芯片。
    (3)IGBT 模块的设计、制造和测试
    IGBT 模块的设计包括机械结构设计、电路布局设计、热设计、电磁设计等,
    一款 IGBT 模块的开发需要进行机-电-热-磁等方面的优化并兼顾模块生产工艺的可实现性等方面的因素。
    IGBT 模块制造是指根据特定的电路设计,将两个或以上的 IGBT 芯片和快
    恢复二极管芯片贴片到 DBC 板上,并用金属线键合连接,然后进行灌封,以满
    足芯片、线路之间的绝缘、防潮、抗干扰等要求,最后将电路密封在绝缘外壳内,并与散热底板绝缘的工艺。
    IGBT 模块由于集成度高,模块内部不同器件之间通常只间隔几毫米的距离,又需要能承受较大的电压和电流及可能存在的恶劣运行环境,因此在产品设计和工艺实现时需要考虑绝缘、耐压、散热、抗干扰、电磁兼容性等诸多因素,产品在设计和生产过程中需要用到电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科的知识。要能大批量地生产出可靠性、稳定性高的 IGBT 模块,需要经过长时间的经验积累,才能了解器件和材料的特性,掌握生产工艺。以贴片流程为例,就涉及到芯片位置的确定、不同材料的热膨胀系数及其特性、回流炉回流曲线及其他参数的设置等,这些生产工艺往往需要经过长期的研发试验才找到较为合适的方案。
    由于国外企业起步较早,制造经验较为丰富,其制造工艺普遍领先于国内企嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-116业。斯达股份通过十几年的钻研,不仅拥有了先进的制造工艺及测试技术,亦将其成功运用于实际生产中,并在 IGBT 高端应用领域具备竞争优势,目前已成为国内汽车级 IGBT 模块的领军企业。
    4、IGBT 芯片技术的发展
    从 20 世纪 80 年代至今,IGBT 芯片经历了 6 代升级,从平面穿通型(PT)
    到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化,断态电压也从 600V 提高到
    6500V 以上。
    序号以技术特点命名芯片面
    积(相对值)工艺线
    宽(微米)通态饱和压降
    (伏)关断时
    间(微秒)功率损
    耗(相对值)
    断 态 电压(伏)
    出 现时间
    1 平面穿通型(PT) 100 5 3.0 0.50 100 600 1988
    2改进的平面穿通型(PT)
    56 5 2.8 0.30 74 600 1990
    3 沟槽型(Trench) 40 3 2.0 0.25 51 1200 1992
    4 非穿通型(NPT) 31 1 1.5 0.25 39 3300 1997
    5 电场截止型(FS) 27 0.5 1.3 0.19 33 4500 2001
    6
    沟槽型电场-截止
    型(FS-Trench)
    24 0.5 1.0 0.15 29 6500 2003
    注:以上数据来源于 ET 创芯网论坛
    1)第一代:PT-IGBT,产品采用“辐照”手段,由于体内晶体结构本身原因
    造成“负温度系数”,各 IGBT 原胞通态压降不一致,不利于并联运行,第一代
    IGBT 电流只有 25A,且容量小,有擎住现象,速度低。
    2)第二代:改进的 PT-IGBT,采用“电场终止技术”,增加一个“缓冲层”,在相同的击穿电压下实现了更薄的晶片厚度,从而降低了 IGBT 导通电阻,降低了 IGBT 工作过程中的损耗。此技术在耐压较高的 IGBT 上运用效果明显。
    3)第三代:Trench-IGBT,最大的改进是采用 Trench 结构,把沟道从表面变到垂直面,所以基区的 PIN 效应增强,栅极附近载流子浓度增大,从而提高了电导调制效应减小了导通电阻;同时由于沟道不在表面,栅极密度增加不受限制,工作时增强了电流导通能力。
    4)第四代:NPT-IGBT,不再采用外延技术,而是采用离子注入的技术来生
    成 P+集电极(透明集电极技术),可以精准的控制结深而控制发射效率尽可能低,嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-117
    增快载流子抽取速度来降低关断损耗,可以保持基区原有的载流子寿命而不会影响稳态功耗,同时具有正温度系数特点。
    5)第五代:FS-IGBT,是第四代产品“透明集电区技术”与“电场终止技术”的组合。由于采用了先进的薄片技术并且在薄片上形成电场终止层,大大的减小了芯片的总厚度,使得导通压降和动态损耗都有大幅的下降,从而进一步降低
    IGBT 工作中过程中的损耗。
    6)第六代:FS-Trench-IGBT,是在第五代基础上改进了沟槽栅结构,进一
    步的增加了芯片的电流导通能力,极大地优化了芯片内的载流子浓度和分布。减小了芯片的综合损耗。
    公司自 2005 年设立以来一直专注于 IGBT 芯片的自主研发,分别于 2011 年和 2015 年成功独立地研发出 NPT 型芯片和 FS-Trench 芯片,并量产制造成模块,应用于工业控制及电源、新能源、变频白色家电等行业。
    5、行业周期性、季节性及区域性特征
    IGBT 下游应用市场广泛,客户整体需求情况会受到宏观经济周期的影响,但由于 IGBT 作为新一代功率电力电子器件,市场增长较快,行业的周期性特征不太明显。
    IGBT 应用领域广泛,下游客户季节性需求呈现此消彼长的动态均衡关系,其季节性特征不明显,但是第一季度受到春节假期影响,工厂开工时间较短,因
    此第一季度销售占全年比重较小。
    在行业区域性方面,IGBT 下游客户相对集中于华东、华南等工业较为发达的地区。
    (三)IGBT 行业现状及发展趋势
    1、IGBT 的市场规模及供求状况
    (1)国内外 IGBT 市场规模持续上升
    IGBT 是诞生于 20 世纪 80 年代的功率半导体分立器件,进入工业应用时间较晚,虽然目前占整体功率半导体分立器件市场份额仍然不大,但它代表了未来的发展方向,市场规模增长很快。根据市场调研机构 Yole 的报告显示,全球 IGBT嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-118
    市场规模在未来几年时间将继续保持稳定的增长势头,市场规模至 2018 年将达
    到 60 亿美元。
    在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下,国内
    IGBT 的发展亦获得巨大的推动力,市场持续快速增长。2016 年,国内 IGBT 市
    场规模达 105.4 亿元。根据集邦咨询《2019 中国 IGBT 产业发展及市场报告》显
    示,2017 年中国 IGBT 市场规模预计为 128 亿人民币,2018 年中国 IGBT 市场规
    模预计为 153 亿人民币,相较 2017 年同比增长 19.91%。近几年我国 IGBT 市场规模情况如下图所示:
    注:以上数据来源于中国产业信息网
    (2)传统工业控制及电源行业支撑 IGBT 市场稳步发展
    IGBT 模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件,且已在此领域中得到广泛应用。目前,随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖,预计 IGBT 模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。
    1)变频器行业
    IGBT 模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用,亦包含了整流部分的作用。控制器产生的正弦波信号通过光藕隔离后进入 IGBT,IGBT 再根据信号的变化将 380V(220V)整流后的直流电再次转化为交流电输出。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-119近年来,我国变频器行业的市场规模总体呈上升态势。根据前瞻产业研究院
    整理,2016 年我国变频器行业的市场规模为 416.77 亿元,平均 4 年复合增长率
    为 8.74%。2017 年我国变频器市场规模约 453.2 亿元。
    根据前瞻产业研究院整理数据,近年来,变频器市场中我国自主研发能力有所提升,特别是高压变频器在 2017 年的专利申请数稳定在 160 项以上。同时,在实体经济的拉动作用下,变频器已进入新能源领域,在冶金、煤炭、石油化工等工业领域将保持稳定增长,在城市化率提升的背景下,变频器在市政、轨道交通等公共事业领域的需求也会继续增长,从而促进市场规模扩大。未来几年,具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长,到 2023 年,高压变频器的市场将达到 175 亿元左右。
    2)逆变焊机行业
    逆变式弧焊电源,又称弧焊逆变器,是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频(50 赫兹)交流网路电压,先经输入整流器整流和滤波,变成直流,再通过大功率开关电子元件(IGBT)的交替开关作用,逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压,同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压,后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。
    根据国家统计局数据,2018 年我国电焊机产量为 853.3 万台,同比 2017 年增加了 58.46 万台。电焊机市场的持续升温亦将保证 IGBT 需求量逐步增大。
    (3)新兴行业加速 IGBT 未来市场
    在国际节能环保的大趋势下,IGBT 下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域发展迅速,对 IGBT 模块需求逐步扩大,新兴行业的加速发展将持续推动 IGBT 市场的高速增长。
    1)新能源汽车行业
    IGBT 模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用,是新能源汽车电机
    控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。
    IGBT 主要应用于新能源汽车领域中以下几个方面:
    应用场景 作用
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-120电机控制器
    大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机。
    锂电池+汽车电机+电机控制器=新能源汽车动力系统,相当于传统汽车发动机,IGBT 模块相当于汽车动力系统的“CPU”车载空调控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变,使用电流较小的 IGBT 模块充电桩 智能充电桩中 IGBT 模块被作为开关元件使用
    根据中汽协发布的产销数据,2018 年,新能源汽车产量及销量分别为 127万辆和 125.6 万辆,同比分别增长 59.9%和 61.7%,产量及销量连续三年位居全球第一。2016 年 11 月国务院印发的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知》指出,到 2020 年,新能源汽车实现当年产销 200 万辆以上,累计产销
    超过 500 万辆,对应 2017-2020 年新能源汽车产量每年平均 40%的增速。根据美
    国 WardsAuto.com 统计,2017 年全球汽车销量超过 9000 万辆,随着新能源汽车替代率逐步上升,将持续拉动 IGBT 模块市场的需求。
    2)变频白色家电行业
    具有变频功能的白色家电最核心的部件之一是其内部的“变频器”,而
    IGBT 模块作为变频器的核心元器件,其高频开闭合功能能够带来以下优点:1、较小的导通损耗和开关损耗;2、出色的 EMI 性能,可通过改变驱动电阻的大小
    满足 EMI 需求的同时保持开关损耗在合理范围内;3、强大的抗短路能力;4、较小的电压尖峰(对家电起到保护作用)。中国作为全球最大的家电市场和生产基地,亦孕育着大规模的 IGBT 市场。以空调行业为例,中国作为全球最大的家电市场和生产基地,亦孕育着大规模的 IPM 市场。产业在线数据显示,2018 年家用空调产量达 14952.9 万台,销量达 15054.5 万台,同比增长 6.24%,其中内
    销 9258.7 万台,同比增长 4.32%,出口 5795.9 万台,同比增长 9.47%。随着节
    能环保的大力推行,具有变频功能的白色家电将具有广阔的市场前景。变频白色家电的推广不仅仅能够促进 IGBT 模块市场的持续扩张,更能够给 IGBT 模块提供稳定的市场需求。
    3)新能源发电行业
    新能源发电主要以光伏发电和风力发电为代表。根据国家能源局数据显示,
    2017 年,我国光伏发电装机容量继续保持快速增长,新增装机 53.06GW,连续
    五年位居世界第一,同比增长 53.6%,根据中国能源局官网,截至 2019 年 6 月,中国风电装机 193GW,占总装机容量的 10.5%,光伏装机 136GW,占总装机容嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-121
    量的 7.4%。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求,需通过光伏逆变器或
    风力发电逆变器将其整流成直流电,再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。IGBT 模块是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件,新能源发电行业的迅速发展将成为 IGBT 模块行业持续增长的又一动力。
    2、国内 IGBT 行业竞争格局
    (1)外国企业占据绝大部分市场
    目前国内外 IGBT 市场仍主要由外国企业占据,虽然我国 IGBT 市场需求增长迅速,但由于国内相关人才缺乏,工艺基础薄弱,国内企业产业化起步较晚,
    IGBT 模块至今仍几乎全部依赖进口,市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。
    同时,国内企业由于芯片供应主要源于国外,制约性较强,因此发展较为缓慢。
    根据 IHSMarkit 2018 年报告,发行人 2017 年在 IGBT 模块全球市场份额占有率国际排名第 10 位,在中国企业中排名第 1 位,是国内 IGBT 行业的领军企业。在 IGBT 行业,发行人占全球市场份额比率约为 2.0%,相比排名第一的英飞凌 22.4%的市场份额仍有较大的差距。市场排名前十中的企业,除了发行人外,其他均为外国企业,该行业仍处于外国企业垄断的局势之中。
    (2)国内企业正力求突破
    由于 IGBT 行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难,国内企业在产业化进程中一直进展缓慢。随着全球制造业向中国的转移,中国已逐渐成为全球最大的 IGBT 市场,IGBT 国产化需求已是刻不容缓。
    在市场需求的吸引下,一批具备 IGBT 相关经验的海外华人归国投身 IGBT 行业,同时国家大量资金流入 IGBT 行业,我国 IGBT 产业化水平有了一定提升,部分企业已经实现量产。
    公司作为国内 IGBT 行业的领军企业,自主研发的第二代芯片(国际第六代
    芯片 FS-Trench)已实现量产,成功打破了国外跨国企业长期以来对 IGBT 芯片的垄断。
    3、进入本行业的主要障碍
    IGBT 作为新兴的功率半导体器件,应用前景广阔,虽然国内政策上一直鼓
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-122
    励 IGBT 相关产业的发展,但是由于产品认证周期比较长,真正在产业化上取得突破,得到用户认可的国内企业目前还较少,主要是由于本行业存在较高的进入壁垒。
    (1)技术壁垒
    1)芯片设计
    IGBT 芯片是 IGBT 模块的核心,其设计工艺极为复杂,不仅要保持模块在
    大电流、高电压、高频率的环境下稳定工作,还需保持开闭和损耗、抗短路能力和导通压降维持平衡。快恢复二极管芯片在 IGBT 模块中与 IGBT 芯片配合使用,需要承受高电压、大电流的同时,要求具有极短的反向恢复时间和反向恢复损耗。
    企业只有具备深厚的技术底蕴和强大的创新能力,积累丰富的经验和知识储备,才能在行业中立足。因此,行业内的后来者往往需要经历一段较长的技术摸索和积累,才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。
    2)模块设计及制造工艺
    IGBT 模块对产品的可靠性和质量稳定性要求较高,生产工艺复杂,生产中
    一个看似简单的环节往往需要长时间摸索才能熟练掌握,如铝线键合,表面看只
    需把电路用铝线连接起来,但键合点的选择、键合的力度、时间及键合机的参数设置、键合过程中应用的夹具设计、员工操作方式等等都会影响到产品的质量和成品率。IGBT 模块作为工业产品的核心器件,需要适应不同应用领域中各种恶劣的工作环境,因此对产品质量的要求较高。如电焊机行业,考虑到逆变电焊机工作环境较为恶劣,使用负荷较重,在采购核心部件 IGBT 模块时会优先考虑模块的耐久性,因此芯片参数和模块制造工艺的可靠性是生产 IGBT 模块的核心。
    而且 IGBT 和下游应用结合紧密,往往需要研发人员对下游应用行业较为了解才能生产出符合客户要求的产品。目前国内具有相关实践、经验丰富的研发技术人才仍然比较缺乏,新进入的企业要想熟练掌握 IGBT 芯片或模块的设计、制造工艺,实现大规模生产,需要花费较长的时间培养人才、学习探索及技术积累。
    (2)品牌和市场壁垒
    IGBT 模块是下游产品中的关键部件,其性能表现、稳定性和可靠性对下游
    客户来说至关重要,因此认证周期较长,替换成本高。对于新增的 IGBT 供应商,嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-123
    客户往往会保持谨慎态度,不仅会综合评定供应商的实力,而且通常要经过产品单体测试、整机测试、多次小批量试用等多个环节之后,才会做出大批量采购决策,采购决策周期较长。因此,新进入本行业者即使生产出 IGBT 产品,也需要耗费较长时间才能赢得客户的认可。
    (3)资金壁垒
    IGBT 行业亦属于资本密集型行业,产业链涵盖芯片设计、芯片制造、模块
    制造及测试等环节,其生产、测试设备基本需要进口,设备成本较高,同时产品的研发和市场开拓都需要较长时间,客户往往要经过较长时间试用才会认可新的品牌,此外,本行业对流动资金需求量也较大,新进入者在前期往往面临投入大、产出少的情况,需要较强的资金实力作后盾,才能持续进行产品的研发、生产和销售。
    4、行业利润水平的变动趋势及变动原因近年来,国内 IGBT 行业发展迅猛,下游客户需求量增幅较快。由于 IGBT模块技术含量高,产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒,市场竞争程度相对较低,部分行业优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势,能够在该领域获得相对较高的利润率水平。但由于需要不断的研发投入,利润水平较易受到研发资金投入的影响。
    (四)影响行业发展的有利和不利因素
    1、有利因素
    (1)国家政策为行业发展提供有利支持
    功率半导体分立器件行业是我国重点鼓励和支持的产业之一,为推动节能减排,促进电力电子技术和产业的发展,国家发改委等有关部门陆续出台资金补贴计划等一系列政策及文件,支持新型电力电子器件的产业化发展。《国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》提出大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化,形成一批新增长点。
    (2)节能减排政策将推动 IGBT 市场需求增长
    随着我国经济的快速发展,能源需求量越来越大,国内能源供应紧缺的矛盾嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-124日益突出。近年来国家出台了多项节能减排政策促进相关行业的发展,受益于此,工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大,而工业控制、变频白色家电均为 IGBT 模块的主要应用领域,使 IGBT 模块的市场需求快速增长。
    (3)新能源领域的发展将推动行业快速发展
    由于传统石化能源储量有限且污染严重,近年来以风能、太阳能等为代表的新能源产业发展迅速。风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用,
    IGBT 模块是逆变器的核心电子元器件,因此未来新能源领域的快速发展将会推
    动 IGBT 行业的快速发展。
    (4)IGBT 模块应用范围日益广泛
    随着国内产业结构的调整升级,智能电网、精密控制、信息通信、轨道交通、航空航天等领域也发展迅速,对 IGBT 的需求不断扩大,大大拓展了 IGBT 的应用范围。
    (5)“进口替代”政策支持
    2015 年 7 月 1 日,第十二届全国人民代表大会常务委员会第十五次会议通过《中华人民共和国国家安全法》,其中第二十四条明确指出“国家加强自主创新能力建设,加快发展自主可控的战略高新技术和重要领域核心关键技术,加强知识产权的运用、保护和科技保密能力建设,保障重大技术和工程的安全”。
    “自主可控”即是要求对战略高新技术和重要领域核心关键技术实现全面国产。IGBT 作为一种新型电力电子器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,既属于战略高新技术又属于核心关键技术。但是 IGBT 行业 95%的市场被国外企业所垄断,要实现 IGBT 模块全面国产,达到“自主可控”,必须完成对 IGBT 模块和 IGBT芯片的进口替代。
    发行人作为国内 IGBT 的龙头企业,不仅有先进的模块设计制造工艺,更实现了 IGBT 芯片国产化,完全具备替代进口 IGBT 模块的能力。因此,“进口替代”的宏观环境将有益于发行人拓展国内 IGBT 市场,但发行人境内销售并非主要依赖于该政策。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-125
    2、不利因素
    (1)行业基础相对薄弱
    IGBT 行业在我国属于新兴高技术产业,直到目前国内具有相关研发和生产
    管理经验的人员仍十分缺乏,具有一定积累的企业更是少之又少。虽然目前部分企业有了一定突破,但在整体规模和研发实力等方面,国内企业的竞争力和国外企业相比仍然差距很大。
    (2)芯片国产率较低
    我国 IGBT 行业近年来规模不断扩大,国内也有一批半导体企业正在进入
    IGBT 行业,但是国内能够自主研发设计芯片的企业较少,国内企业仍主要依靠
    进口芯片进行生产,因此生产成本较高,进口依赖较强,经营稳定性较差。
    (五)行业特有的经营模式及盈利模式
    IGBT 芯片、快恢复二极管芯片企业根据是否自建晶圆生产线分为存在两种
    经营模式:IDM 模式和 Fabless 模式。
    1、IDM 模式
    IDM 模式即垂直整合制造商,是指包含电路设计、晶圆制造、封装测试以及
    投向消费市场全环节业务的企业模式,IGBT 芯片、快恢复二极管芯片设计只是
    其中的一个部门,同时企业拥有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂。该模式对企业
    技术、资金和市场份额要求极高,目前仅有英飞凌、三菱等少数国际巨头采用此模式。
    2、Fabless 模式
    Fabless,是 Fabrication(制造)和 less(没有)的组合。Fabless 模式是集成
    电路行业的一种经营模式,即企业自身专注于芯片设计,而将芯片制造外协给代工厂商生产制造的模式,而芯片代工厂商负责采购硅片和加工生产。Fabless 模式的企业无需投资建立晶圆制造生产线,减小了投资风险,能够快速开发出终端需要的芯片。
    发行人 Fabless 模式主要为自主研发的 IGBT 芯片及快恢复二极管芯片生产模式,即发行人负责 IGBT 器件设计及制造工艺,并将 IGBT 器件设计图和制造嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-126
    工艺转交给代工厂商,由代工厂商负责制造生产。
    Fabless 模式下,发行人芯片生产不涉及自身产能情况。发行人会于年初与代工厂沟通,预计本年度芯片代工量,代工厂商会为发行人预留相应的产能,代工厂商剩余产能亦会为其他公司生产相应的芯片。2016 年度、2017 年度、2018 年
    度和 2019 年 1-6 月,发行人向代工厂商采购 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片数量
    总和分别为 590.22 万颗、1283.50 万颗、2705.76 万颗和 1749.89 万颗。
    目前公司与上海华虹和上海先进所签订的处于存续期内的外协合同情况如
    下表所示:
    合同方 签约主体 合同名称 签订日期 合同期限上海华虹
    上海道之 晶圆制造协议 2016.12.20 三年
    斯达股份 保密协议 2018.02.10 五年
    上海道之 保密协议 2018.07.23 三年上海道之保密协议之补充协议
    2018.09.27合作终止之日
    起满四年上海先进上海道之上海先进半导体制造有限公司销售条款与条件
    2018.08.02 两年上海道之
    Foundry 圆片加工质量协议
    2018.08.02 两年
    斯达股份 保密协议 2018.06.20 三年
    上海道之 保密协议 2018.06.20 三年
    浙江谷蓝 保密协议 2018.06.20 三年
    (六)本行业与上下游行业之间的关联性
    IGBT 行业产业链包括芯片设计、芯片制造和模块的设计、制造和测试,其
    中 IGBT 芯片是 IGBT 行业的核心。
    图 6-2 IGBT 行业产业链示意图
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-127芯片设计芯片制造
    模块设计、制造及测试工业控制新能源电机节能轨道交通智能电网电动汽车家用电器电源行业
    本行业下游客户分布广泛,包括工业控制及自动化、新能源汽车、新能源发电、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等众多领域。未来随着变频白色家电的进一步推广和普及,以及新能源汽车的快速发展,对 IGBT 模块的需求量会进一步增加。IGBT 模块在下游客户产品中是关键器件,产品质量和稳定性十分重要,替换成本较高,即使选择新的供应商,通常也要经过较长时间的产品测试和试用。
    (七)与公司产品出口相关的政策及影响
    2016 年度、2017 年度、2018 年度和 2019 年 1-6 月,公司出口 IGBT 模块及
    其他产品的金额分别为 1931.38 万元、2800.13 万元、3316.57 万元和 2123.85万元,占营业收入的比例分别为 6.42%、6.39%、4.91%和 5.80%,金额及占比均较小。根据国家税务总局 2005 年发布的《出口货物退(免)税管理办法(试行)》及其他相关税收优惠政策,公司出口产品享受“免、抵、退”的税收优惠政策,出口退税率为 17%,2018 年 5 月起出口退税率调整为 16%,2019 年 4 月起出口退税率调整为 13%。
    三、公司的行业地位及竞争优劣势
    (一)公司在行业中的市场份额及变化情况
    公司多年来一直专注于 IGBT 相关技术的研发,自 2005 年成立以来,经历了早期的市场开拓后,目前已成为少数实现 IGBT 大规模生产的国内企业之一,是国内多家知名工业控制企业的主要 IGBT 模块供应商,先发优势明显。
    与国外竞争对手相比,公司市场份额仍较小,目前公司的主要竞争优势在于在更加专注于细分市场以及更加及时地响应客户需求的同时,在产品价格上具备嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-128一定优势。公司自主研发设计的 IGBT 芯片及快恢复二极管芯片已经实现量产,
    在一定程度上化解了公司在芯片供应上依赖国外供应商的风险。未来公司的市场份额仍有较大的提升空间。
    国内目前也有不少企业在进行 IGBT 模块相关的研发,但国内实现 IGBT 模块大批量生产的企业仍较少,目前公司在 600V-1700V IGBT 模块的技术水平及生产规模上均处于领先地位。
    2011 年,公司荣获中国电工技术学会电气节能专业委员会颁发的“电气节能领域高速发展企业奖”、“IGBT 系列产品知名品牌奖”等。2012 年,公司获得中国电工技术学会颁发的“IGBT 模块领军企业奖”。
    2015 年,更获得了中国电工技术学院电器节能专业委员会颁布的 IGBT 行业
    “世界一流产品奖”。
    2017 年,公司被嘉兴科技城管理委员会评为“科技创新先进企业”。
    2011 年至 2017 年,公司多次获得英威腾颁发的“优秀供应商奖”、“金牌供应商”的奖项。
    2018 年,公司获得大洋电机车辆事业集团颁发的“优秀开发奖”。
    2018 年,公司获得合肥巨一颁发的“年度优秀供应商”奖项。
    随着公司产能的扩张、产品线的丰富和知名度的进一步提升,公司销售规模
    将进一步扩大,未来公司的市场占有率将保持上升趋势。
    (二)主要竞争对手的简要情况
    根据 IHSMarkit 2018 年报告统计数据显示,2017 年全球 IGBT 模块市场约为
    47.9 亿美金。根据集邦咨询《2019 中国 IGBT 产业发展及市场报告》显示,2017年中国 IGBT 市场规模预计为 128 亿人民币,2018 年中国 IGBT 市场规模预计为
    153 亿人民币,相较 2017 年同比增长 19.91%。受益于新能源汽车和工业领域的
    需求大幅增加,中国 IGBT 市场规模仍将持续增长,到 2025 年,中国 IGBT 市场规模将达到 522 亿人民币,年复合增长率达 19.11%。
    目前 IGBT 市场仍主要被境外企业垄断,且构成竞争的企业不超过 10 家。
    根 IHSMarkit 2018 年报告统计数据显示,IGBT 模块前十大供应商占据市场份额嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-129
    超过 75%,公司是前十大供应商里面唯一一家中国企业,因此公司竞争对手主要
    是境外 IGBT 模块制造商。
    公司目前的同行业竞争对手主要是国外跨国企业,包括英飞凌、三菱、富士、赛米控等。
    公司主要竞争对手的具体情况如下:
    1、英飞凌科技公司(Infineon Technologies)
    英飞凌科技公司的前身是西门子集团的半导体部门,于 1999 年独立。公司总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体公司之一。根据英飞凌最新的季度报告,截至 2019 年 3 月 31 日,公司员工人数达 41449 人,人员覆盖欧洲、亚洲与北美洲。公司的主营业务涉及汽车、芯片卡与安全、工业电源控制和电源管理四个方面。
    英飞凌科技公司作为行业龙头,是 IGBT 技术领导者,根据 IHSMarkit 2018年报告,2017 年全球市场占有率为 22.40%,对于低电压、中电压和高电压 IGBT领域,英飞凌均占据领先地位。
    2、三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation)
    三菱电机株式会社是三菱集团的核心企业之一,成立于 1921 年。根据三菱
    电机株式会社 2019 年年报,截至 2019 年 3 月 31 日,公司员工数量达 145817
    人。三菱电机在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。三菱电机半导体产品包括功率模块(IGBT、IPM、
    MOSFET 等)、微波/射频和高频光器件、光模块和标准工业用的 TFTLCD 等。
    作为全球领先的 IGBT 企业,三菱电机在中等电压、高电压 IGBT 领域处于领先地位。根据 IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为 17.90%,仅次于英飞凌。
    3、富士电机株式会社(Fuji Electric)
    富士电机株式会社成立于 1923 年,根据富士电机株式会社官网数据,其在日本国内有十个工厂和一个综合研究所,在海外有 129 个子公司和分支机构,年销售额在八千亿日圆以上。根据富士电机株式会社最新的季度报告,截至 2019嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-130
    年 6 月 30 日,公司员工数量达 27674 人。旗下的富士电机电子技术株式会社负
    责半导体元件的生产和销售。富士电机在全球生产和销售 IGBT、MOSFET 等功率半导体。富士电机 IGBT 芯片的设计和生产主要集中在本国进行,在英国、日本和菲律宾都设有功率器件生产工厂。
    作为业内领先的 IGBT 企业,富士电机主要生产 IGBT 模块和 IPM 模块,产品在工业控制和变频家电中广泛使用。根据 IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为 9.00%,位列第三。
    4、赛米控(SEMIKRON)
    赛米控成立于 1951 年,总部位于德国纽伦堡。根据赛米控官网数据,赛米控全球设有 25 家分公司,员工人数超过 3200 人。赛米控是全球领先的电力电子制造商,发明了全球第一款带绝缘设计的功率模块,主要生产中等功率输出范围
    (约 2KW 至 10MW)中广泛应用的电力电子组件和系统。生产产品包括芯片、分立器件、二极管、晶闸管、IGBT 功率模块和系统功率组件。赛米控在低电压消费级 IGBT 领域具备一定优势,根据 IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为 8.30%,位列第四。
    (三)发行人的核心竞争力
    1、IGBT 芯片、快恢复二极管芯片的设计
    国内 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片主要依赖进口,国内可以自主研发 IGBT芯片和快恢复二极管芯片的公司较少。发行人已经成功研发出 FS-Trench 型 IGBT芯片并实现规模化量产。同时发行人已经成功研发出可多个芯片并联的快恢复二极管芯片,其具备正温度系数、漏电流小的特性。以上两种芯片已成功应用于大功率工业级和车用级模块,打破了大功率工业级和车用级模块完全依赖进口芯片的被动局面。
    2、IGBT 芯片、快恢复二极管芯片的生产
    在 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片生产过程中,公司主要负责向代工厂商提供芯片设计和具体生产工艺步骤。公司具备成熟的 IGBT 芯片及快恢复二极管芯片的生产工艺,并通过与代工厂的多年合作,规模化生产出各项参数符合设计指标的芯片。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-131
    3、IGBT 模块的设计、制造和测试
    IGBT 模块工艺较为复杂,设计制造流程较为繁琐。由于国外企业起步较早,制造经验较为丰富,其制造工艺普遍领先于国内企业。斯达股份通过十几年的钻研,不仅拥有了先进的制造工艺及测试技术,亦将其成功运用于实际生产中,并在 IGBT 高端应用领域具备竞争优势,目前已成为国内汽车级 IGBT 模块的领军企业。
    (四)公司核心竞争优势
    公司客户目前主要分布于工业控制及电源、新能源、变频白色家电等行业,主要竞争对手均为国际品牌厂商。公司在与国际主要品牌厂商的竞争过程中,形成以下独特的竞争优势:
    1、技术优势
    公司自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本,并以开发新产品、新技术为公司的主要工作,持续大幅度地增加研发投入,培养、组建了一支高素质的国际型研发队伍,涵盖了 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片和 IGBT 模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等,在半导体技术、电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累。目前,公司已经实现
    IGBT 芯片和快恢复二极管芯片的量产,以及 IGBT 模块的大规模生产和销售。
    2、快速满足客户个性化需求的优势
    客户的个性化需求主要是对 IGBT 模块的电路结构、拓扑结构、外形和接口控制的个性化要求等。
    公司拥有 IGBT 模块的设计和应用专家,并成立了专门的应用部,能够快速、准确地理解客户的个性化需求,并将这种需求转化成产品要求;同时,公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开发机制,目前公司已形成上百种个性化产品,这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的重要基础;另外,与国际品牌厂商相比,作为 IGBT 模块的国产厂商,公司采用了直销模式,直接与客户对接,从而进一步提升了服务客户的效率。
    因此,与国外竞争对手相比,公司与下游客户的沟通更加便捷和顺畅,在对嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-132
    响应客户需求的速度、供货速度、产品适应性及持续服务能力等各方面都表现出优势。
    3、细分行业的领先优势
    斯达股份自成立以来一直专注于 IGBT 的设计研发、生产和销售。根据IHSMarkit 2018 年报告,公司 2017 年度 IGBT 模块的全球市场份额占有率国际排
    名第 10 位,在中国企业中排名第 1 位,是国内 IGBT 行业的领军企业。
    公司一直以来紧跟国家宏观政策走向,布局细分市场。针对细分行业客户对
    IGBT 模块产品性能、拓扑结构等的不同要求,公司开发了不同系列的 IGBT 模块产品,在变频器、新能源汽车及逆变电焊机等细分市场领域形成了一定的竞争优势。在变频器领域,公司目前已经成为国内多家知名变频器企业的 IGBT 模块主要供应商;在新能源汽车领域,公司已成功跻身于国内汽车级 IGBT 模块的主要供应商之列,与国际企业同台竞争,市场份额不断扩大;在逆变电焊机领域,公司是少数可以提供适合于不同种类电焊机的多系列 IGBT 模块的供应商。
    4、先发优势
    IGBT 模块不仅应用广泛,且是下游产品中的核心器件,一旦出现问题会导
    致产品无法使用,给下游企业带来较大损失,替代成本较高,因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购。国内其他企业进入 IGBT 模块市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难,公司的先发优势明显。随着公司生产规模的扩大,自主芯片的批量导入,在供货稳定性上的优势会进一步巩固,从而提高潜在竞争对手进入本行业的壁垒。
    5、人才优势
    人才是半导体行业的重要因素,是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司创始人为半导体行业技术专家,具备丰富的知识、技术储备及行业经验;
    公司拥有多名具有国内外一流研发水平的技术人员,多人具备在国际著名功率半导体公司承担研发工作的经历;公司的核心技术团队稳定,大多数人在本公司拥
    有十年以上的工作经验。专业的人才团队为公司的持续稳定发展奠定了良好基础,公司人才方面的优势为公司的持续发展提供了动力。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-133
    6、合理的业务模式优势
    公司选择了以直销为主、经销为辅的销售模式,可迅速了解客户需求,同时通过经销迅速拓张市场份额,提高市场声誉。此外,公司可以根据客户性质,灵活的选择直销和经销的维护方式,更好地服务客户。
    公司芯片生产采取 Fabless 模式,减小了投资风险,并加快了产品推向市场的速度。
    虽然上述模式非创新模式,但是适合公司目前发展状态,有利于公司市场拓张和技术迭代速率。
    7、较强的市场开拓能力
    公司坚定以“研发推动市场,市场反馈研发”的发展思路,形成研发与销售之间的闭环。该种良性循环使发行人实现了一定技术积累的同时,具备了较强的市场开拓能力,实现了销售的快速增长。
    (五)公司竞争劣势
    1、融资能力不足报告期内,公司生产经营规模不断扩大,固定资产投资及营运资金需求同步增长。与境外竞争对手相比,公司融资能力相对不足,目前主要依靠自有的流动资金发展,无法迅速完成资金需求量较大的前沿技术研发和生产以及市场开发。
    资金实力缺乏和融资渠道的局限束缚了公司快速平稳发展。借助资本市场的力量,公司可以稳步扩大市场规模。
    2、知名度不足
    公司的竞争对手均为成立数十年的老牌国际半导体制造企业,除了 IGBT 模块外,竞争对手还有其他半导体产品,且已经实现国际化销售布局,垄断了 75%以上的国际市场。公司设立于 2005 年,与竞争对手相比成立时间较短,市场知名度较低,而且目前市场上国内 IGBT 模块制造商较少。因此在市场拓展方面,与竞争对手相比,公司需要花费更大的精力。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-134
    四、公司主营业务情况
    (一)公司主要产品应用领域
    公司目前主要产品为 IGBT 模块,其实物外观示例如下:
    公司的主要 IGBT 模块产品的具体情况如下:
    图 6-3 公司主要 IGBT 模块产品情况
    产品系列 电流范围 典型应用领域
    C1 50A-100A 变频器、逆变焊机、感应加热、UPS
    C2/C2.3 100A-400A 变频器、感应加热、电镀电源
    B3/B3.1/B3.2 100A-400A 新能源汽车、电动叉车
    C2.1 400A-600A 变频器、UPS
    C8/C8.1 100A-200A UPS、电镀电源
    C3 800A-2400A 大功率变频器、机车牵引
    C3.1 600A-1200A 大功率变频器、机车牵引
    C4 1800A-3600A 大功率变频器、机车牵引、风力发电、智能电网
    P1 600A-900A 风力发电、光伏发电、新能源汽车
    P2 1000A-1400A 风力发电、光伏发电、新能源汽车
    P3 225A-400A 新能源汽车
    P4 400A-800A 新能源汽车
    C5 10A-40A 变频器
    C6 50A-150A 变频器、UPS
    C6.1 225A-600A 变频器、风力发电、光伏发电、新能源汽车
    C7 225A-600A 变频器、风力发电、光伏发电、新能源汽车
    A1 10A-30A 变频空调、变频冰箱
    L1/L2/L3/L4
    F1/F2/F3/F4/F5
    6A-35A 小功率变频器、光伏发电
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-135
    产品系列 电流范围 典型应用领域
    IPM 5A-50A 智能模块
    IGBT 是现代电力电子领域的代表性器件,由于具有导通电阻小、开关速度
    快、工作频率高等特点,可以在各种电路中提高功率转换、传送和控制的效率,实现节约能源、提高工业控制水平的目的。公司的 IGBT 模块型号齐全,在工业控制及自动化、新能源汽车、电机节能、太阳能发电、风能发电等诸多领域都有广泛的应用。
    以新能源汽车为例,新能源汽车区别于传统车最核心的技术是“三电”系统,主要是指电机、电池、电控。“三电”中电控系统的主要作用是接收整车控制器的指令,进而控制驱动电机的转速和转矩,以控制整车的运动。另外,在制动阶段,电机控制器负责将驱动电机的回馈能量进行回收并储存到动力电池以提高能源利用效率。IGBT 模块为电控系统的核心器件,担负着电控系统中将动力电池直流电能转换成驱动电机所需交流变频电能的功能,IGBT 模块决定了整车的电能转换效率。除 IGBT 模块外,公司还生产和供应碳化硅模块。
    公司产品应用领域示意如下:
    图 6-4 公司产品应用领域示意图工业控制与电机节能
    变频器 逆变焊机 UPS新能源
    风机逆变器 风能发电
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-136
    太阳能逆变器 太阳能发电
    汽车驱动装置 新能源汽车变频白色家电及其他领域
    机车牵引 智能电网 舰船电气化 变频家电
    (二)公司产品的生产工艺流程
    公司产品生产主要分为芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产三个阶段,其生产工艺流程如下图所示:
    图 6-5 公司产品生产工艺流程图
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-137
    注:标灰的环节为公司对外采购,不涉及公司自主生产
    阶段一:芯片和模块设计。公司产品设计包含 IGBT 芯片、快恢复二极管芯
    片的设计和 IGBT 模块的设计。本阶段公司根据客户对 IGBT 关键参数的需求,设计出符合客户性能要求的芯片;根据客户对电路拓扑及模块结构的要求,结合
    IGBT 模块的电性能以及可靠性标准,设计出各满足各行业性能要求的 IGBT 模块。
    阶段二:芯片外协制造。公司根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶
    圆代工厂如上海华虹、上海先进等外协厂商外协制造自主研发的芯片,公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程,不承担芯片制造环节。
    阶段三:模块生产。模块生产是应用模块原理,将单个或多个如 IGBT 芯片、嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-138
    快恢复二极管等功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内的过程。由于
    模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在模块内部完成,因此和同容量的器件相比,具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好等优点。公司主要产品 IGBT 模块集成度高,内部拓扑结构复杂,又需要在高电压、大电流、高温、高湿等恶劣环境中运行,对公司设计能力和生产工艺控制水平要求高。本阶段公司根据不同产品需要采购相应的芯片、DBC、散热基板等原材料,通过芯片贴片、回流焊接、铝线键合、测试等生产环节,最终生产出符合公司标准的 IGBT 模块。
    公司外协加工主要存在于 IGBT 模块材料准备阶段,除了自制 IGBT 芯片及
    快恢复二极管芯片通过芯片代工厂进行外协制造之外,一些非核心部件的加工环节如功率端子电镀等交由外协厂商进行加工生产。
    公司 IGBT 芯片一般设计流程图如下图 6-6 所示:
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-139
    图 6-6 公司 IGBT 芯片设计流程图
    (三)公司主要业务模式
    1、采购模式
    公司的原材料主要包括 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片等其他半导体芯片、
    DBC 板、散热基板、其他材料等。其中 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片的采购主
    要通过自主研发设计并外协制造加工,以及向国外生厂商或代理商直接采购两种方式;DBC 板等原材料部分向国外企业直接采购,部分向国内厂商进行采购,在保证质量的同时降低成本;其他原材料主要向周边地区供应商直接采购,部分进口。公司向国外供应商采购的原材料主要通过欧元、美元、瑞士法郎等外币结算。
    IGBT 芯片主要区别在于 IGBT 器件设计和制造工艺。公司自主研发设计的
    芯片均由技术人员独立研发,且公司对相关的自主设计已申请了专利,不存在侵嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-140
    犯外购芯片知识产权的情形,不存在法律纠纷或潜在纠纷。
    公司在采购国内原材料时,先由相关部门根据需求,提前一定时间提出采购申请递交到采购部,由采购部根据供应商的交货周期下单及安排供应商送货,同时,根据公司预测,供应商会为公司预备一定的物料,以满足公司临时的生产调整。
    采购国外原材料时,由于交货期较长,公司根据需求,对比不同供应商交货计划表,根据未来六个月左右的物料需求滚动预测并下单,并根据实际需要提前调整到货计划表,以确保供应商能准时到货。同时公司也会根据供需状态储备一定水平的安全库存,确保在上下游供需变化时仍能及时满足客户需求。
    为了确保产品质量,公司具有严格的供应商导入流程,新的供应商导入均需经过公司采购、技术和品质部门人员的共同审核。此外,公司对各种原材料均制订了具体的检验标准,原材料投入使用前需先经过检验。
    公司在选择供应商时,综合考虑其综合实力,产品质量、供应产品的稳定性以及报价情况,选择性价比最高的供应商进入供应体系;公司拥有成熟的供应商管理体系,在产品采购过程中对供应商进行持续评价和管理。
    公司 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片通过自主研发设计并外协制造加工是指
    公司负责 IGBT 器件设计和制造工艺,并向代工厂商提供芯片设计和对应的生产工艺,最终由其负责制造生产。公司芯片外协代工厂基本情况如下:
    (1)上海先进半导体制造股份有限公司基本情况
    公司名称 上海先进半导体制造股份有限公司
    成立日期 1988 年 10 月 4 日
    注册资本 153422.70 万元人民币经营范围
    集成电路和半导体芯片的制造、针测、封装、测试及相关服务;与集成电路有关的开发、设计服务、技术服务与咨询、光掩膜制造;
    在国内外销售公司产品及就公司产品提供售后服务
    外协服务情况 为公司提供 IGBT 和快恢复二级管相关产品的芯片代工服务除公司外,上海先进半导体制造股份有限公司还为诸多其他公司提供芯片外协代工服务。
    (2)上海华虹宏力半导体制造有限公司基本情况
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-141
    公司名称 上海华虹宏力半导体制造有限公司
    成立日期 2013 年 1 月 24 日
    注册资本 782857.7759 万元人民币经营范围
    集成电路产品有关的设计、开发、制造、测试、封装,销售集成电路产品及相关技术支持,销售自产产品外协服务情况 为公司提供 IGBT 芯片相关产品的代工服务除公司外,上海华虹宏力半导体制造有限公司还为诸多其他公司提供芯片外协代工服务。
    公司与代工厂之间系常规的商业合作模式,公司不存在生产依赖代工厂的情况。主要原因系:1)IGBT 芯片代工厂商除了上海华虹和上海先进半导体之外,国内外其他几家大型的代工厂亦具备完成芯片加工的能力;2)公司芯片代工生
    产模式系行业内较为成熟、稳定的 Fabless 模式,且公司与目前合作的代工厂商合作良好。
    上海华虹和上海先进 5%以上股东基本情况如下:
    外协厂商 股东名字 持股比例上海华虹宏力半导体制造有限公司
    华 虹 半 导 体
    (01347.HK)
    持有 100% 的股权
    上海华虹国际有限公司 27.27%
    Sino-Alliance International Ltd 15.22%鑫芯(香港)投资有限公司 18.88%
    NEC Corporation 7.71%上海先进半导体制造股份有限公司
    华大半导体有限公司 19.65%
    上海化学工业区(香港)有限公司 14.51%
    PudongScienceandTechnologyInvestment
    (Cayman)Co.Ltd.
    13.32%
    芯远有限公司 13.32%
    上海贝岭股份有限公司 5.78%
    注:上海先进为 2018 年 6 月 30 日披露的股东持股情况;上海华虹为 2019 年 4 月 4 日披露的股东持股情况
    公司未曾间接或直接控制过上海先进和上海华虹,外协厂商与公司及其实际控制人、董事、监事、高级管理人员不存在任何关联关系或亲属关系。公司与外协厂商间仅存在正常的业务合作往来,除此以外各自保持独立经营,外协厂商不存在为公司承担成本或费用的情况。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-142
    2、生产模式
    公司产品为 IGBT 模块,属于半标准化产品,公司会根据下游客户行业具体的需求,对产品电压、电流、功率、封装结构等参数进行设计,开发成为不同系列的产品,产品整体生产流程具备标准性。因目前公司采取按订单生产和根据预测备货相结合的方法,一方面会根据客户的实时需要,在签订合同后组织采购和生产,另一方面会根据公司对下游市场的了解及与客户的沟通,提前生产备货。
    发行人产品虽然会按照客户需求设计并生产,但不属于定制化产品,发行人与客户不构成外协加工关系。
    对于 IGBT 芯片及快恢复二极管芯片,公司采取 Fabless 模式,从而能够专注于芯片设计并加快芯片开发速度;对于 IGBT 模块,公司专注于核心生产工序,同时为了降低生产成本,将部分技术含量相对不高的生产环节,如功率端子电镀等委托给其他企业进行。
    在质量管控方面,公司根据 ISO9001 和 IATF16949 的要求,设计出适用于公司的质量控制体系,保证产品质量。其中,质量部负责处理顾客品质投诉、统计各环节的质量信息,提出质量改进措施等。产品部负责处理量产产品生产过程中的工艺、技术和产品质量问题,提出工艺、工装改良,负责工艺贯彻、调试以及验证、工序能力分析,产品的生产测试和可靠性测试等。应用部门负责售前及售后的客户技术支持工作,产品失效分析并撰写失效分析报告等;并协助客户研究公司产品在客户端应用中的最佳方案;根据客户应用情况的反馈,不断进行产品的改进。客服部保持和客户的沟通,接收订单并进行订单确认,了解客户对产品质量的满意情况,受理客户投诉,并将客诉信息向相关部门反馈。
    3、营销模式
    目前公司主要采取直销的方式进行销售,公司直销的主要业务流程为:客户开发——产品测试——小批量试用——大批量稳定销售。公司根据下游客户的分布情况,除嘉兴总部外在全国建立了五个销售联络处,并于瑞士设立了控股子公司斯达欧洲,负责国际市场业务开拓。同时公司亦参加相关行业的展会及相关行业组织的各种会议、活动等,以提高产品知名度,加强和客户的沟通,促进市场开发和产品销售。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-143
    因为 IGBT 模块海外市场地域分布较广,且海外代理商及客户相对成熟,因此,公司从 2014 年开始针对部分海外市场通过经销商销售给终端客户。经销模式主要通过经销商对外销售,公司根据经销商的订单发货给经销商,最后由其发货给终端客户。公司选择经销商时主要考评经销商的销售网络以及技术人员能力(主要协助完成客户支持及后期维护)。
    报告期内,公司直销和经销的金额及比例情况如下表所示:
    地域销售模式
    2019 年 1-6 月 2018 年度 2017 年度 2016 年度金额(万元)占比
    (%)金额(万元)占比
    (%)金额(万元)占比
    (%)金额(万元)占比
    (%)国内直销模式
    33682.16 91.91 63042.80 93.35 40699.41 92.92 28082.54 93.40经销模式
    838.97 2.29 1177.40 1.74 298.70 0.68 52.46 0.17
    小计 34521.13 94.20 64220.20 95.09 40998.11 93.61 28135.00 93.58国外直销模式
    1807.38 4.93 2903.23 4.30 2248.77 5.13 1647.72 5.48经销模式
    316.47 0.86 413.34 0.61 551.36 1.26 283.66 0.94
    小计 2123.85 5.80 3316.57 4.91 2800.13 6.39 1931.38 6.42
    合计 36644.98 100.00 67536.77 100.00 43798.24 100.00 30066.38 100.00
    IGBT 模块是下游客户产品中的关键零部件,替换成本较高。因此,公司在
    客户早期开发阶段难度较大,需要经过较长时间的产品测试认证、试用。此外,客户对新供应商产品的采购数量在初期也会相对较少,但一旦公司产品质量获得客户认可,结合公司在本土化、成本等方面的优势,客户采购量往往会较快增加,由于替换成本较高,使得公司客户维护成本相对较低。公司作为国内少数实现大规模量产的 IGBT 模块企业之一,目前的主要竞争对手是国外企业,与之相比,公司在细分领域、本土化、成本等方面均具有一定优势。
    此外,为了维护良好的客户关系,及时响应客户需求,公司于 2007 年即成立了客户服务部,除日常客户服务外,还负责搜集市场信息,根据公司计划制定并分解各阶段销售目标,对客户进行信用评估、跟踪服务等。
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-144
    (四)公司主要产品的生产与销售情况
    1、公司主要产品产能及产销情况
    公司自成立以来专注于以 IGBT 为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,主要产品为 IGBT 模块。经过前期数年研发积累,公司产品得到了市场认可后,市场需求增长较快,公司产能亦随之一直在增长。
    报告期内,公司 IGBT 模块产品产能、产量、销量及销售收入情况见下表:
    单位:万个/万元产品名称
    时间 产能 产量产能利用率
    销量 产销率 销售收入
    IGBT模块
    2019 年 1-6 月 216 203 94% 202 100% 35931
    2018 年度 428 399 93% 378 95% 66067
    2017 年度 295 272 92% 263 97% 43059
    2016 年度 205 162 78% 181 112% 29452报告期内,公司逐步扩大生产规模,产能呈不断扩大的趋势;同时,随着公司与既有客户的合作日趋稳固,以及公司不断打开新的市场,公司的产能利用率呈现逐步上升趋势;整体看来,公司在报告期内的产销率接近 100%,随着近年来 IGBT 市场的不断升温,预计公司将保持较高的产销率水平。
    2、公司产品的主要客户群体
    公司 IGBT 模块的主要客户群体为工业控制及电源、新能源和变频白色家电等行业。报告期内,公司客户数量不断增加,主要客户所处行业不断扩展。2015年以来,随着新能源行业的大力发展,公司产品已经进入了新能源汽车、光伏、风力发电等行业,未来公司的主要客户群体所处行业会进一步丰富。
    3、公司产品销售价格变动情况报告期内,公司产品的平均售价基本保持稳定。公司不同规格的产品达千余种,产品价格因产品性能、参数要求等而有所不同,从几十元到几千元不等。年度产品平均单价的不同主要源自当年所销售产品的整体结构的差异。报告期内,公司 IGBT 模块平均单价的变动情况如下表所示:
    单位:元
    产品 2019 年 1-6 月 2018 年度 2017 年度 2016 年度
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-145
    型号 平均单价同比增减平均单价同比增减平均单价同比增减平均单价同比增减
    IGBT模块
    177.52 1.63% 174.68 6.64% 163.81 0.90% 162.35 -4.54%
    4、公司向主要客户销售的情况
    (1)报告期内各期前五名客户销售情况
    公司在报告期内各期向前五名客户销售情况如下表所示:
    2019 年 1-6 月编号
    名称 金额(万元) 比例
    1 深圳市英威腾电气股份有限公司 4232.02 11.55%
    2 深圳市汇川技术股份有限公司 3890.92 10.62%
    3 上海众辰电子科技有限公司 1872.71 5.11%
    4 合肥巨一动力系统有限公司 1824.78 4.98%
    5 上海电驱动股份有限公司 1709.32 4.66%
    合计 13529.75 36.92%
    2018 年度编号
    名称 金额(万元) 比例
    1 深圳市英威腾电气股份有限公司 8309.09 12.30%
    2 深圳市汇川技术股份有限公司 5839.57 8.65%
    3 上海电驱动股份有限公司 4092.35 6.06%
    4 上海众辰电子科技有限公司 3504.11 5.19%
    5 合肥巨一动力系统有限公司 3336.22 4.94%
    合计 25081.34 37.14%
    2017 年度编号
    名称 金额(万元) 比例
    1 深圳市英威腾电气股份有限公司 5566.43 12.71%
    2 深圳市汇川技术股份有限公司 3684.97 8.41%
    3 欧瑞传动电气股份有限公司 1966.89 4.49%
    4 上海众辰电子科技有限公司 1849.48 4.22%
    5 上海电驱动股份有限公司 1815.83 4.15%
    合计 14883.60 33.98%
    2016 年度
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-146编号
    名称 金额(万元) 比例
    1 深圳市英威腾电气股份有限公司 5601.56 18.63%
    2 上海电驱动股份有限公司 2225.73 7.40%
    3 深圳市汇川技术股份有限公司 1547.60 5.15%
    4 欧瑞传动电气股份有限公司 1451.62 4.83%
    5 北京合康新能科技股份有限公司 1302.83 4.33%
    合计 12129.33 40.34%
    公司在报告期内各期前五名客户的基本情况如下:
    序号 客户名称 成立时间注册资本(万元)股权结构
    1深圳市英威腾电气股份有限公司
    2002.4.15 75422.571上市公司英威腾
    (002334.SZ);
    实际控制人为黄申
    力;第一大股东黄申
    力持股 15.02%
    2深圳市汇川技术股份有限公司
    2003.4.10 166196.44上市公司汇川技术
    (300124.SZ);
    实际控制人为朱兴
    明;第一大股东深圳市汇川投资有限公司
    持股 18.66%
    3上海电驱动股份有限公司
    2008.7.8 7541.10西藏升安能实业有限
    公司 35.28%;宁波韵升股份有限公司
    15.12%;其他 49.60%
    4上海众辰电子科技有限公司
    2006.2.20 3766.00上海众挺智能科技有
    限公司 48.68%;张建
    军 24.30%;上海直辰企业管理中心(有限
    合伙)11.49%;其他
    15.53%
    5
    合肥巨一动力系统有限公司
    2015.11.12 5000.00
    安徽巨一自动化装备
    有限公司 100.00%
    6欧瑞传动电气股份有限公司
    2006.12.28 9000.00烟台欧瑞投资管理有
    限公司 57.00%;欧瑞投资(香港)有限公
    司 40.00%;烟台美捷投资管理中心(有限
    合伙)3.00%
    7北京合康新能科技股份有限公司
    2003.6.11 112854.0857上市公司合康新能
    (300048.SZ);
    实际控制人为叶进
    吾;第一股东上海上丰集团有限公司持股
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-147
    21.29%
    发行人对某特定客户的信用政策,是综合考虑该客户的背景及财务能力、客户所处行业情况及客户行业地位、双方合作历史、采购规模等因素做出的。总体来看,主要客户和新增客户的信用政策不存在差异,且信用政策在报告期内未发生变更。2016 年末、2017 年末和 2018 年末,公司应收账款周转率分别为 2.42
    次、3.09 次、4.84 次,逐年提高,发行人报告期内不存在放宽信用期限的情况。
    报告期内,公司不存在向单个客户的销售比例超过总额的 50%或严重依赖于少数客户的情况。
    公司董事、监事、高级管理人员及核心技术人员,主要关联方或持有公司 5%以上股份的股东均与上述客户不存在任何关联关系。
    (五)主要原材料和能源及其供应情况
    1、公司主要原材料供应情况
    公司目前主要产品为 IGBT 模块,原材料包括 IGBT 芯片、快恢复二极管等其他半导体芯片、DBC 板、散热基板等。公司报告期内原材料采购情况如下:
    单位:万元项目
    2019 年 1-6 月 2018 年度 2017 年度 2016 年度
    金额 占比 金额 占比 金额 占比 金额 占比
    芯片 19781.63 69.21% 31664.62 65.92% 22192.57 66.46% 12312.84 67.90%
    DBC 2409.24 8.43% 4891.67 10.18% 3207.48 9.61% 1863.08 10.27%散热基板
    1627.19 5.69% 3418.89 7.12% 2486.38 7.45% 1289.63 7.11%其他材料
    4765.53 16.67% 8058.17 16.78% 5505.46 16.49% 2667.12 14.71%
    合计 28583.60 100.00% 48033.35 100.00% 33391.90 100.00% 18132.68 100.00%
    注:芯片包括 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片及其他功率半导体芯片公司外协采购主要系以 Fabless 模式进行芯片生产,公司报告期内外协采购情况如下:
    单位:万元项目
    2019 年 1-6 月 2018 年度 2017 年度 2016 年度
    金额 金额 金额 占比 金额 占比 金额 占比
    外协芯片 9184.30 32.13% 12912.21 26.88% 6623.52 19.84% 2322.32 12.81%
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-148
    采购总额 28583.60 100.00% 48033.35 100.00% 33391.90 100.00% 18132.68 100.00%
    对于 IGBT 芯片及快恢复二极管芯片,公司采取 Fabless 模式,从而能够专注于芯片设计并加快芯片开发速度。该模式是集成电路行业常见的业务模式,具备芯片制造的外协代工厂商较多,因此对发行人生产能力完整性不存在影响。
    除芯片生产外,公司将部分技术含量相对不高的生产环节,如功率端子电镀等委托给其他企业进行,该项外协不影响发行人生产能力完整性。
    在各种原材料中,芯片作为 IGBT 模块的核心元器件,大致占总成本的 70%左右。
    2、公司主要原材料价格变动情况
    (1)公司主要原材料价格变动情况报告期内,公司主要原材料为 IGBT 及快恢复二极管芯片、DBC、散热基板,其中 IGBT 及快恢复二极管芯片分为外协芯片和外购芯片,上述原材料采购单价变动情况如下:
    单位:元/个、%采购类别
    2019 年 1-6 月 2018 年度 2017 年度 2016 年度
    单价 同比 单价 同比 单价 同比 单价 同比
    外协芯片 5.25 10.06 4.77 -7.56 5.16 31.30 3.93 -7.53
    外购芯片 5.55 0.18 5.54 -8.58 6.06 -13.06 6.97 -5.94
    DBC 4.54 1.27 4.49 1.77 4.41 6.95 4.12 -1.00
    散热基板 9.36 -9.20 10.30 -0.24 10.33 6.72 9.68 0.28报告期内,DBC 和散热基板的采购单价受行业内供需影响,价格存在一定的波动,但总体较为稳定。
    报告期内,外协芯片和外购芯片采购单价波动较大,主要系公司采购的芯片型号比例波动所致。公司芯片型号合计超过 300 种,其中高功率芯片单价远高于低功率芯片单价。公司历年采购会根据下游客户需求而备货不同功率等级的芯片,因此公司不同功率等级芯片的采购比例会随下游客户需求差异而发生变化。
    (2)公司 IGBT 芯片价格变动情况
    公司主要原材料为 IGBT 芯片。报告期内,公司 IGBT 芯片的采购情况如下:
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-149
    2019 年 1-6 月金额(万元) 10801.90数量(万个) 1265.63单价(元/个) 8.53
    2018 年度金额(万元) 19153.15数量(万个) 2509.03单价(元/个) 7.63
    2017 年度金额(万元) 13830.33数量(万个) 1768.58单价(元/个) 7.82
    2016 年度金额(万元) 8232.48数量(万个) 982.82单价(元/个) 8.38
    随着业务规模的不断扩大,公司 IGBT 芯片的采购数量及金额不断增加,采购单价基本保持稳定。2016 年至 2018 年,公司 IGBT 芯片采购单价略有下降。
    2019 年 1-6 月,公司 IGBT 芯片采购单价稍有上升。采购单价的变动主要系报告
    期间不同功率等级的 IGBT 芯片采购占比变化所致。
    3、公司主要能源供应情况
    公司生产经营所需能源主要为电力,在生产成本中所占比例较低。2016 年度、
    2017 年度、2018 年度和 2019 年 1-6 月,采购电力金额分别为 360.90 万元、505.74
    万元、594.45 万元和 338.59 万元,采购价格分别为 0.75 元/度、0.76 元/度、0.72
    元/度和 0.76 元/度,分别占各期采购总额的 1.99%、1.51%、1.24%和 1.18%,较为稳定。
    4、公司向主要供应商采购的情况报告期内,公司向前五名供应商采购的情况如下表:
    期间供应商名称主要采购产品
    (注 1)
    采购金额(万元)占当年采购总金额的比例
    2019年月
    上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片 6776.82 23.71%
    Infineon Technologies AG 芯片 4328.80 15.14%
    上海先进半导体制造股份有限公司 芯片 2407.48 8.42%
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-150期间供应商名称主要采购产品
    (注 1)
    采购金额(万元)占当年采购总金额的比例
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 2190.34 7.66%
    上海申和热磁电子有限公司 DBC 1499.83 5.25%
    合计 17203.26 60.19%
    2018年度
    上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片 10339.82 21.53%
    Infineon Technology AG(注 2) 芯片 7988.17 16.63%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 3944.72 8.21%
    Si-Chip Power Technologies Limited 芯片 3660.86 7.62%
    嘉善高磊金属制品有限公司 铜件 2850.71 5.93%
    合计 28784.28 59.93%
    2017年度
    Infineon Technology AG 芯片 6926.97 20.74%上海华虹宏力半导体制造有限公司
    (注 3)
    芯片 4506.47 13.50%
    Si-Chip Power Technologies Limited 芯片 4090.07 12.25%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 2811.34 8.42%
    Rogers Germany GmbH DBC 2161.04 6.47%
    合计 20495.88 61.38%
    2016年度
    Infineon Technology AG 芯片 3672.05 20.25%
    Si-Chip Power Technologies Limited 芯片 3567.47 19.67%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 1609.80 8.88%
    Rogers Germany GmbH DBC 1429.03 7.88%
    上海先进半导体制造股份有限公司 芯片 1231.92 6.79%
    合计 11510.26 63.48%
    注 1:芯片包括 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片等,结构件包括 DBC 板、散热基板等。
    注 2:Infineon Technology AG 通过其下属公司 Infineon Technologies Asia Pacific Pte. Ltd.、Infineon Technologies HongKong Sales Limited 及 International Rectifier HongKong Ltd.向发行
    人销售产品,上表中为合并口径。
    注 3 及注 4:上海华虹宏力半导体制造有限公司和上海先进半导体制造股份有限公司主要向发行人提供芯片外协加工服务。
    报告期内,发行人原材料采购(不包括外协采购)前五大供应商情况如下:
    期间 供应商名称 主要采购产品采购金额(万元)占当年采购总金额的比例
    2019年月
    Infineon Technologies AG 芯片 4328.80 15.14%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 2190.34 7.66%
    上海申和热磁电子有限公司 DBC 1499.83 5.25%
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-151
    嘉善高磊金属制品有限公司 铜件 1389.71 4.86%
    Danfoss Silicon Power GmbH
    外壳、铜件、芯片
    1222.91 4.28%
    合计 10631.59 37.19%
    2018年度
    Infineon Technology AG 芯片 7988.17 16.63%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 3944.72 8.21%
    Si-Chip Power Technologies Limited 芯片 3660.86 7.62%
    嘉善高磊金属制品有限公司 铜件 2850.71 5.93%
    Rogers Germany GmbH DBC 2269.04 4.72%
    合计 20713.50 43.12%
    2017年度
    Infineon Technology AG 芯片 6926.97 20.74%
    Si-Chip Power Technologies Limited 芯片 4090.07 12.25%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 2811.34 8.42%
    Rogers Germany GmbH DBC 2161.04 6.47%
    嘉善高磊金属制品有限公司 铜件 1923.70 5.76%
    合计 17913.11 53.65%
    2016年度
    Infineon Technology AG 芯片 3672.05 20.25%
    Si-Chip Power Technologies Limited 芯片 3567.47 19.67%
    IXYS Semiconductor GmbH 芯片 1609.80 8.88%
    Rogers Germany GmbH DBC 1429.03 7.88%
    嘉善高磊金属制品有限公司 铜件 808.97 4.46%
    合计 11087.32 61.15%报告期内,公司不存在向单个供应商的采购比例超过总额的 50%或严重依赖于少数供应商的情况。
    公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员、公司实际控制人、公司主要关联方或持有公司 5%以上股份的股东均与上述供应商不存在任何关联关系。
    5、芯片采购基本情况
    (1)公司外购芯片基本情况
    公司自主研发设计的 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片已经量产,同时公司仍然存在外购芯片的情况,包括英飞凌、Si-Chip Power Technologies Limited、IXYSSemiconductor GmbH 等公司。公司自主研发设计的芯片主要包括 IGBT 芯片和快
    恢复二极管芯片,两者均是 IGBT 模块的核心元器件。公司自主研发设计的芯片
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-152
    可以让公司实现技术和生产全面国产可控,解除了公司对进口芯片的依赖,在市场化竞争中,公司较海外竞争对手具备更大的议价空间,有利于公司进一步扩大市场份额。
    (2)自主研发芯片的基本情况
    公司自主研发设计的芯片具备独立自主的知识产权,研发和生产中不受境外供应商制约,芯片供应稳定性较强,而且生产成本较低。目前,公司自主研发设计的最新一代 FS Trench 芯片与进口芯片性能相当,具备替代进口芯片的能力,公司对外购芯片不存在重大依赖。
    公司自主研发设计的芯片由上海华虹和上海先进两家芯片代工生产,芯片的核心原材料为硅片。目前芯片所使用的硅片,境内境外均可以生产,不存在依赖进口的情况;此外,发行人以 Fabless 模式生产芯片,硅片是委托上海华虹和上海先进两家芯片代工厂购买,两家代工厂均具有稳定的硅片供货渠道。
    报告期内,发行人自主研发的 IGBT 及快恢复二极管芯片采购数量及金额占比均持续上升,具体情况如下:
    IGBT 及
    快恢复二极管芯片数量(万个) 金额(万元)
    自主研发芯片 外购芯片 自主研发芯片 外购芯片
    2016 年度 590.22 1311.37 2322.32 9141.15
    2017 年度 1283.50 2313.63 6623.52 14021.24
    2018 年度 2705.76 2814.32 12912.21 15589.41
    2019 年 1-6 月 1749.89 1484.37 9184.30 8239.80
    2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年 1-6 月,发行人自主研发的 IGBT 及快
    恢复二极管芯片采购数量占当期 IGBT 及快恢复二极管芯片采购总量比例分别为
    31.04%、35.68%、49.02%和 54.10%,自主研发的 IGBT 及快恢复二极管芯片采
    购金额占当期 IGBT 及快恢复二极管芯片采购总额比例为 20.26 %、32.08%、
    45.30%和 52.71%。
    公司已经成功自主研发设计出全系列的 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片,并且均已实现量产,目前对外采购的 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片均能够被自主研发设计的芯片替代。但公司目前仍然存在外购芯片的情况,是由于客户对公司自研芯片的批量化使用需要一定的验证时间,因此在正常情况下,公司自主研发嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-153的芯片完全取代进口芯片需要一定过程。
    (六)环境保护和安全生产
    1、环境保护情况
    本公司制造的产品均为功率半导体模块,在生产过程中产生的污染物较少,也不存在高危险的工作环境。
    嘉兴市南湖区环境保护局、海宁市环境保护局硖石分局、上海市外冈镇规划建设和环保办公室出具了证明,近三年内公司及子公司遵守国家及当地环境保护法律、法规,未因环境问题受到环保行政处罚及其他单位和个人的投诉。
    2、安全生产情况
    公司一直以来高度重视安全生产,确定了公司首席安全官负责制,成立了安
    全生产领导小组,建立了安全生产领导小组为总协调部门、各部门负责人为部门生产安全第一负责人的安全保障体系,并采取以下措施确保安全生产:
    (1)对电力配电系统采用空气开关等进行过流保护,电气设备外壳采用独立接地线进行接地。
    (2)开展公司、部门及班组三级安全教育,树立全员安全意识,每年进行
    一次消防演练。
    (3)每季进行一次以上的督促、检查安全生产工作,分析安全生产和防火形势,研究、协调和解决存在的安全隐患问题,并做好安全检查记录。
    (4)组织制定了安全生产规章制度和操作规程,凡有条件的岗位,操作规程均要镜框式上墙公布。
    报告期内,公司没有出现重大安全事故或因安全生产问题受到相关行政管理部门的处罚。
    五、主要固定资产及无形资产
    (一)主要固定资产情况
    1、公司主要固定资产
    公司固定资产主要包括厂房及办公楼,员工宿舍,生产、研发、办公用机器嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-154
    设备以及运输工具等。公司定期对相关固定资产进行检查维护,各项固定资产目前使用状况良好。报告期末,公司固定资产情况如下:
    单位:万元、%项目 原值 累计折旧 净值 成新率
    房屋建筑物 10305.63 2678.65 7626.98 74.01
    机器设备 21753.65 8928.44 12825.21 58.96
    辅助设备 1374.92 620.62 754.30 54.86
    运输设备 418.13232 289.44 128.69 30.78
    其他设备 450.73253 261.85 188.89 41.91
    固定资产装修 885.97123 342.26 543.71 61.37
    合计 35189.04 13121.27 22067.77 62.71
    截至本招股意向书签署日,发行人及其子公司拥有 13 处房屋所有权,具体情况如下:
    序号
    权证编号 权利人 房地坐落 规划用途建筑面积
    (m2)他项权利
    1嘉房权证南湖区
    字第 00521889 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988 号
    工业 6304.68 已抵押
    2嘉房权证南湖区
    字第 00521890 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988 号
    工业 1670.67 已抵押
    3嘉房权证南湖区
    字第 00582252 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988号 6 号楼
    工业 64.17 已抵押
    4嘉房权证南湖区
    字第 00582130 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988号 4 号楼
    工业 5136.23 已抵押
    5嘉房权证南湖区
    字第 00582129 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988号 5 号楼
    工业 3504.72 已抵押
    6嘉房权证南湖区
    字第 00582131 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988号 3 号楼
    工业 3574.55 已抵押
    7嘉房权证南字第
    00677382 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988 号
    工业 911.42 已抵押
    8嘉房权证南字第
    00677383 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988 号
    工业 272.41 已抵押
    9嘉房权证南字第
    00677384 号斯达股份嘉兴市南湖区科
    兴路 988 号 7 幢
    工业 21736.23 已抵押
    10海宁房权证海房
    字第 00335592 号浙江谷蓝海宁市海洲街道
    文康路 7 号
    科研办公 533.31 -海宁房权证海房
    字第 00335591 号浙江谷蓝海宁市海洲街道
    文康路 7 号
    科研办公 7521.04 -海宁房权证海房
    字第 00335590 号浙江谷蓝海宁市海洲街道
    文康路 7 号
    科研办公 2611.62 -
    沪(2017)嘉字不动产权第
    020936 号上海道之
    嘉定区清能路 85号
    工业 20884.1 已抵押
    嘉兴斯达半导体股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书
    1-1-155
    公司已按照国家房地产管理有关规定,办理了房地产登记手续、取得了房地产权证书,公司取得上述房产所履行的程序符合有关法律规定,不存在因发生质量、安全事故或违反建设工程方面的法律、法规受到行政处罚的情形。公司各项房屋所有权取得符合有关法律法规的规定。
    截至报告期末,发行人及其子公司主要设备(净值 200 万元以上)具体情况如下:
    序号 设备名称 权利人设备净值(万元)用途
    1 贴片机 斯达股份 299.23 生产设备
    2 真空回流炉 斯达股份 234.72 生产设备
    3 真空回流炉 斯达股份 269.71 生产设备
    4 真空回流炉 上海道之 329.12 生产设备
    5 真空回流炉 上海道之 328.18 生产设备
    6 离子注入机 上海道之 618.55 生产设备
    7 真空回流炉 上海道之 367.16 生产设备
    8 真空回流炉 上海道之 366.93 生产设备公司目前设备来源主要通过实物出资和对外采购两种方式获得。
    实物出资:设立初期,公司规模较小,尚未开始生产,且考虑到国内外汇管制较为严格,直接购买设备难度较大,因此由公司实际控制人沈华以美籍身份在境外购买设备,并以购买价格增资到公司,且历次增资均出具了评估报告。实物出资设备原值合计 300.3485 万美元。
    对外采购:随着公司正常开始生产经营,组建了完整的组织架构,于是公司开始直接向境外设备供应商采购设备以不断扩大产能。公司向境外设备供应商采购设备均基于当时市场公允价值,并且签署了相应采购合同。
    公司机器设备来源具备合法合规性,不涉及知识产权方面的纠纷,且与发行人产能相匹配。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-156
    2、租赁的房屋建筑物
    截至本招股意向书签署日,发行人及其子公司签署并正在履行的租赁合同情况具体如下:
    序号
    承租人 出租人 位置租赁面积
    (m2)
    租赁期限 租金 用途
    1 斯达股份 王晓 北京市门头沟区熙旺中心 A 座 1802 室 69.21 2019.06.01-2021.05.31 5500 元/月 办公
    2 斯达股份 何琰
    四川省成都市锦江区龙舟南街 108 号
    秀城 21-14
    51.42 2019.11.01-2021.10.31 1900 元/月 办公
    3 斯达股份 胡蕊山东省济南市历下区经一路北侧保利
    大明湖写字楼 A 座 504 室
    49.40 2019.08.07-2020.08.06 2500 元/月 办公
    4 斯达股份 尹争江苏省南京市江宁区秣陵街道天元西
    路 158 号亚都天元居 01 幢 534 室
    68.45 2019.10.15-2020.10.15 3080 元/月 办公
    5 斯达股份 叶桂宏广西壮族自治区南宁市青秀区凤凰岭
    路 1 号荣和大地第二组团 1 栋 A 单元
    5C 号
    89 2019.01.24-2020.01.23 2860 元/月 办公
    6 斯达股份 郝月光山东省青岛市李沧区京口路 47 号(百通大厦小区)1605 户房屋
    39.2 2019.09.15-2020.09.14 30000 元/年 办公
    7 斯达股份深圳市汇潮物业管理有限公司深圳市宝安区西乡街道盐田社区金海
    路汇潮科技大厦十八层 1804 号
    129 2019.03.01-2020.02.28 9804 元/月 办公
    8 斯达欧洲 Tarchini Real Estate SA
    CMC Mapp. 540 a Cadenazzo al primo
    piano Switzerland
    201 2019.07.01-2020.06.30
    29145 瑞士
    法郎/年办公
    9 斯达欧洲
    MIP
    Immobilien-Verwaltungs
    GmbH & Co.KG
    Steinstra?e 19-21/Wiesentalstra?e 32-40
    in 90419 Nürnberg Germany
    240 2015.07.15-2020.07.14
    8.5 欧元/平
    方米/月
    办公、实验室嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-157
    公司及其境内子公司租赁使用的 7 处房产中,5 处租赁房产的出租人已取得相应的房屋所有权证书,合计建筑面积约 317.28 平方米;另有 2 处租赁房产的出租人未能提供房屋的权属证明,合计建筑面积约 178.4 平方米。
    前述 2 处未取得房屋所有权证的租赁房产具体情况如下:
    序号
    承租人 出租人 位置租赁面
    积(m2)未取得产权证原因
    1 发行人 胡蕊济南市历下区
    经一路北侧保利大明湖写字
    楼 A 座 504 室
    49.40
    出租方购买房屋后,尚未办理取得房屋产权证
    2 发行人深圳市汇潮物业管理有限公司深圳市宝安区西乡街道盐田社区金海路汇潮科技大厦十
    八层 1804 号
    129该房屋系建立在集体用地上的小产权房,未能取得房屋产权证书。房屋所在地深圳市宝安区西乡街道租赁管理所
    出具了《同意转租证明》,同意深圳市汇潮物业管理有限公司进行转租。此外,深圳市汇潮物业管理有限公司取得了经登记备案号的《房屋租赁凭证》,租赁期限自 2014 年 1 月至 2028 年 12月
    公司 7 处租赁房屋均为合法建筑,除公司向深圳市汇潮物业管理有限公司租
    赁的面积为 129 ㎡的房屋系建立在集体用地上的小产权房,其他租赁房屋不涉及集体建设用地或划拨用地。
    对于出租方未能提供房屋权属证明的租赁房产,公司及其下属子公司自租赁上述房屋使用以来,未因此发生任何纠纷或受到任何政府部门的调查、处罚,该等房屋未取得房屋权属证明的情况未对发行人及其下属子公司开展正常经营业
    务造成不利影响。发行人的主营业务系以 IGBT 为主的功率半导体芯片和模块的设计、研发、生产,并以 IGBT 模块形式对外实现销售,其租赁房屋主要系办公用途,搬迁不会对其经营业务造成重大不利影响,公司及其下属子公司存在的上述租赁瑕疵物业的情形,不会对本次发行上市构成实质性法律障碍。
    为此,公司的实际控制人出具承诺,若因发行人及/或其子公司所租赁物业存在权属瑕疵或相关租赁合同未办理租赁登记备案手续而导致发行人及/或其子公
    司所租赁物业被拆除或拆迁、相关租赁合同被认定无效或出现任何纠纷、发行人及/或其子公司因此受到主管部门处罚,并因此给发行人及/或其子公司造成任何经济损失的,实际控制人同意就发行人及/或其子公司实际遭受的经济损失进行全额现金补偿。据此,发行人及其境内子公司未就其房屋租赁相应办理登记备案,嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-158
    不会影响房屋租赁合同的效力,不会对发行人生产经营造成重大不利影响,亦不会对本次发行上市构成实质性障碍。
    (二)无形资产
    1、土地使用权
    截至本招股意向书签署日,发行人及其子公司拥有 5 宗土地使用权,具体情况如下:
    序号
    权证编号 权利人 房地坐落 用途使用权面积
    (m2)终止日期他项权利
    1嘉南土国用
    (2015)第
    1043176 号斯达股份
    科兴路 988 号(嘉兴科技城)工业用地
    18858.70 2055.12.31已抵押
    2嘉南土国用
    (2015)第
    1043179 号斯达股份
    科兴路 988 号(嘉兴科技城)工业用地
    34214.80 2055.12.31已抵押
    3嘉南土国用
    (2015)第
    1043181 号斯达股份
    科兴路 988 号(嘉兴科技城)工业用地
    17741.50 2055.12.31已抵押
    4海国用
    (2015)第
    05410 号浙江谷蓝海洲街道文康路
    7 号科研办公用地
    9685.00 2060.01.13 -
    5
    沪(2017)嘉字不动产权
    第 020936 号上海道之嘉定区清能路
    85 号工业用地
    19879.8 2063.04.10已抵押
    注:上述土地均发行人自购取得。第 1、2、3 项土地由斯达股份质押给交通银行浙江分行,以获取银行授信额度;第 5 项由上海道之质押给中国银行南湖支行,以获取银行授信额度。
    上述各项土地使用权的取得情况及履行的程序如下:
    (1)斯达股份的土地使用权取得情况
    2005 年 12 月 20 日,公司与嘉兴市国土资源局签署了嘉土南让合[2005]043
    号《国有土地使用权出让合同》,公司受让位于南湖区余新镇亚中路西侧总面积
    为 70815 平方米的宗地。公司已支付完毕前述《国有土地使用权出让合同》项下的全部价款。
    2006 年 3 月 4 日,公司取得了嘉兴市人民政府核发的嘉南湖国用(2006)第
    005-00972 号《国有土地使用证》。
    公司前述原《国有土地使用证》项下的地块被拆分为三块地块并于 2015 年 9
    月 25 日取得了嘉兴市人民政府核发的三块土地《国有土地使用证》。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-159
    (2)浙江谷蓝土地使用权取得情况
    2009 年 12 月 7 日,海宁市国土资源局与浙江道之签署了合同编号为
    3304812009A21186 的《国有建设用地使用权出让合同》,浙江道之受让位于市区
    海宁大道西、康华医院南侧 2#总面积为 9685 平方米的宗地。浙江道之已支付完毕前述《国有建设用地使用权出让合同》项下的全部价款。
    2011 年 8 月 19 日,浙江道之取得了海宁市人民政府核发的海南国用(2011)
    第 07911 号《国有土地使用证》。
    2015 年 2 月 13 日,浙江谷蓝与该土地使用权原权利人浙江道之签订了《房产买卖契约》,受让该宗土地使用权及地上相应房产。
    2015 年 6 月 1 日,浙江谷蓝取得了海宁市人民政府核发的海国用(2015)第
    05410 号《国有土地使用证》。
    (3)上海道之土地使用权取得情况
    2013 年 1 月 18 日,上海道之与上海市嘉定区规划和土地管理局签署了沪嘉规土(2013)出让合同第 11 号(1.0 版)《上海市国有建设用地使用权出让合同》,上海道之受让位于嘉定区外冈镇(外 1208 号地块)总面积为 19879.80 平方米的宗地。上海道之已支付完毕前述《国有土地使用权出让合同》项下的全部价款。
    目前上海道之已经取得了上海市不动产登记局核发的沪(2017)嘉字不动产
    权第 020936 号《不动产权证》。
    2、专利权
    截至本招股意向书签署日,发行人及其子公司拥有的专利权共 99 项,其中
    12 项存在质押。具体情况如下:
    序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利
    1 发明 ZL200910097410.1新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块斯达股份
    2009.04.02 2011.05.11原始取得无
    2 发明 ZL200910097411.6
    一种用于绝缘栅双极型晶体斯达股份
    2009.04.02 2011.08.24原始取得无
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-160序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利管模块的基板
    3 发明 ZL200910097414.X带门极电阻布局的功率
    MOSFET 模块斯达股份
    2009.04.02 2011.05.25原始取得无
    4 发明 ZL200910097413.5低杂散电感的功率模块斯达股份
    2009.04.02 2012.05.30原始取得无
    5 发明 ZL200910097415.4功率端子直接键合的功率模块斯达股份
    2009.04.02 2012.05.30原始取得无
    6 发明 ZL200910102247.3高集成智能型功率模块斯达股份
    2009.09.10 2012.05.30原始取得无
    7 发明 ZL201010530420.2
    一种新型无底板功率模块斯达股份
    2010.11.04 2013.01.09原始取得无
    8 发明 ZL201010550081.4大厚度氧化层场板结构及其制造方法斯达股份
    2010.11.10 2012.07.18原始取得无
    9 发明 ZL201110449950.9功率器件的功率循环系统斯达股份
    2011.12.29 2014.05.14原始取得无
    10 发明 ZL201010543790.X
    IGBT 器件结构及制备方法斯达股份
    2010.11.15 2013.09.11原始取得无
    11 发明 ZL201110134937.4
    一种半桥功率模块斯达股份
    2011.05.24 2013.03.20原始取得无
    12 发明 ZL201410033293.3
    一种大功率半桥模块斯达股份
    2014.01.24 2016.07.27原始取得无
    13 发明 ZL201410033330.0
    一种便于安装的功率半导体模块斯达股份
    2014.01.24 2016.08.24原始取得无
    14 发明 ZL201410033919.0
    一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块斯达股份
    2014.01.24 2016.08.24原始取得无
    15 发明 ZL201410034060.5
    一种将功率半导体模块端子焊接到基板的方法斯达股份
    2014.01.24 2016.11.23原始取得无
    16 发明 ZL201410033419.7
    一种智能半导体功率模块斯达股份
    2014.01.24 2017.06.06原始取得无
    17 发明 ZL201410033389.X
    一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块斯达股份
    2014.01.24 2017.05.03原始取得无
    18 发明 ZL201410033446.4
    一种组合键合外壳斯达股份
    2014.01.24 2017.02.01原始取得无
    19 发明 ZL201410034014.5
    一种带电极压力装置的功率斯达股份
    2014.01.24 2017.02.01原始取得无
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-161序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利半导体模块
    20 发明 ZL201410034557.7
    一种功率半导体用新型金属
    —陶瓷绝缘基板斯达股份
    2014.01.25 2017.01.04原始取得质押
    21 发明 ZL201410034559.6
    一种功率模块封装结构斯达股份
    2014.01.25 2017.02.08原始取得质押
    22实用新型
    ZL200920196140.5高集成智能型功率模块斯达股份
    2009.09.10 2010.05.19原始取得无
    23实用新型
    ZL201020572513.7
    一种高压 FRD的截断型深槽结构斯达股份
    2010.10.22 2011.07.06原始取得无
    24实用新型
    ZL201020606528.0
    一种 IGBT 器件结构斯达股份
    2010.11.15 2011.10.05原始取得无
    25实用新型
    ZL201020613969.3大厚度氧化层场板结构斯达股份
    2010.11.10 2011.11.02原始取得无
    26实用新型
    ZL201120167407.5
    一种半桥功率模块斯达股份
    2011.05.24 2012.01.18原始取得无
    27实用新型
    ZL201120562050.0功率器件的功率循环系统斯达股份
    2011.12.29 2012.09.12原始取得无
    28实用新型
    ZL201120568033.8
    一种小型的功率半导体模块斯达股份
    2011.12.31 2012.11.07原始取得无
    29实用新型
    ZL201220260890.6
    一种新型封装的功率模块斯达股份
    2012.06.05 2012.12.26原始取得无
    30实用新型
    ZL201220261548.8基于逆变焊机主电路的一种优化结构斯达股份
    2012.06.05 2012.12.26原始取得无
    31实用新型
    ZL201220261679.6
    一种针对电动汽车应用的
    IGBT 功率模块斯达股份
    2012.06.05 2012.12.26原始取得无
    32实用新型
    ZL201220261167.X
    一种新型高可靠功率模块斯达股份
    2012.06.05 2012.12.26原始取得无
    33实用新型
    ZL201420044717.1
    一种带电极压力装置的功率半导体模块斯达股份
    2014.01.24 2014.08.13原始取得无
    34实用新型
    ZL201420044761.2
    一种便于安装的功率半导体模块斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    35实用新型
    ZL201420044781.X
    一种利用水冷散热器双面散热的模块功率封装结构斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    36 实用 ZL201420044784.3 一种平板式功 斯达 2014.01.24 2014.07.30 原始 无
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-162序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利
    新型 率半导体模块 股份 取得
    37实用新型
    ZL201420044918.1
    一种整体注塑封装的智能功率模块斯达股份
    2014.01.24 2014.08.13原始取得无
    38实用新型
    ZL201420044967.5
    一种金属连接件及功率半导体模块斯达股份
    2014.01.24 2014.08.13原始取得无
    39实用新型
    ZL201420045431.5
    一种功率模块封装用的散热基板斯达股份
    2014.01.24 2014.08.13原始取得无
    40实用新型
    ZL201420045458.4功率半导体模块斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    41实用新型
    ZL201420045476.2
    一种高频大功率碳化硅
    MOSFET 模块斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    42实用新型
    ZL201420045503.6
    一种 IGBT 芯片结构斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    43实用新型
    ZL201420045520.X
    一种散热一体化功率模块的封装结构斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    44实用新型
    ZL201420045576.5
    一种功率半导体模块斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    45实用新型
    ZL201420045634.4
    一种逆变焊机的拓扑结构斯达股份
    2014.01.24 2014.07.30原始取得无
    46实用新型
    ZL201420046324.4功率模块焊接结构斯达股份
    2014.01.25 2014.07.30原始取得无
    47实用新型
    ZL201420046332.9在功率半导体封装中使用的焊接用信号引线斯达股份
    2014.01.25 2014.07.30原始取得无
    48实用新型
    ZL201420046698.6
    一种全免清洗软钎焊功率模块斯达股份
    2014.01.25 2014.10.08原始取得无
    49实用新型
    ZL201420046329.7
    三相整流桥功率模块斯达股份
    2014.01.25 2014.12.24原始取得无
    50实用新型
    ZL201520279341.7可适配多种不
    同厚度 PCB 板的功率半导体模块斯达股份
    2015.05.04 2015.12.16原始取得质押
    51实用新型
    ZL201520279197.7功率半导体模块内部连接结构斯达股份
    2015.05.04 2015.08.26原始取得质押
    52 实用 ZL201520279269.8 一种半导体芯 斯达 2015.05.04 2015.08.19 原始 质
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-163序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利
    新型 片封装用的功率模块端子
    股份 取得 押
    53实用新型
    ZL201520279292.7
    一种双层灌封的功率模块斯达股份
    2015.05.04 2015.08.26原始取得质押
    54实用新型
    ZL201520286782.X
    二极管功率模块斯达股份
    2015.05.06 2015.11.18原始取得无
    55实用新型
    ZL201520287126.1带有热管系统的功率模块斯达股份
    2015.05.06 2015.12.02原始取得无
    56实用新型
    ZL201520286739.3 一种功率模块斯达股份
    2015.05.06 2015.08.26原始取得无
    57实用新型
    ZL201520286787.2带卡环结构外壳的功率半导体模块斯达股份
    2015.05.06 2015.08.26原始取得无
    58实用新型
    ZL201520290069.2
    一种物体表面镀层厚度的检测装置斯达股份
    2015.05.07 2015.12.02原始取得无
    59实用新型
    ZL201520293743.2
    一种精准测量平整物整体曲面的测量装置斯达股份
    2015.05.08 2015.12.02原始取得无
    60实用新型
    ZL201520293574.2用于功率模块的接线端子斯达股份
    2015.05.08 2015.08.26原始取得质押
    61实用新型
    ZL201620178336.1
    一种带弹片双层灌胶的功率模块斯达股份
    2016.03.09 2016.08.10原始取得质押
    62实用新型
    ZL201620182515.2集成在散热基板上的双面焊接单面散热功率模块斯达股份
    2016.03.10 2016.08.24原始取得质押
    63实用新型
    ZL201720080813.5新型压接型功率模块斯达股份
    2017.01.22 2017.11.24原始取得质押
    64实用新型
    ZL201720080672.7
    一种功率半导体模块斯达股份
    2017.01.22 2017.09.22原始取得质押
    65实用新型
    ZL201720127646.5
    一种压力接触连接的功率端子斯达股份
    2017.02.13 2017.09.22原始取得质押
    66实用新型
    ZL201721479355.9
    一种功率模块的插接端子斯达股份
    2017.11.08 2018.06.29原始取得无
    67实用新型
    ZL201820313600.7沟槽栅场截止
    逆导型 IGBT斯达股份
    2018.03.07 2018.10.02原始取得无
    68 发明 ZL201610136577.4
    一种功率模块连接质量的检测方法斯达股份
    2016.03.10 2018.11.13原始取得无
    69 发明 ZL201510228562.6
    一种用激光阻焊的功率模块斯达股份
    2015.05.07 2018.10.12原始取得无
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-164序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利
    70实用新型
    ZL201820414372.2
    一种汽车级功率模块用散热结构斯达股份
    2018.03.23 2018.11.06原始取得无
    71外观设计
    ZL201830771596.4功率半导体模块斯达股份
    2018.12.29 2019.07.05原始取得无
    72外观设计
    ZL201830770204.2水冷散热功率模块斯达股份
    2018.12.29 2019.07.16原始取得无
    73 发明 ZL201010530405.8
    一种集成功率半导体功率模块上海道之
    2010.11.04 2012.11.07原始取得无
    74 发明 ZL201010530403.9
    一种封装结构的大功率模块上海道之
    2010.11.04 2012.11.14原始取得无
    75 发明 ZL201010530417.0
    一种紧凑型功率模块上海道之
    2010.11.04 2012.08.15原始取得无
    76 发明 ZL201010538759.7
    一种功率模块测试夹具上海道之
    2010.11.11 2014.04.09原始取得无
    77 发明 ZL201010540330.1
    一种优化的智能功率模块的功率封装结构上海道之
    2010.11.12 2013.09.04原始取得无
    78实用新型
    ZL201020589857.9
    一种新型封装结构的大功率模块上海道之
    2010.11.04 2011.05.25原始取得无
    79实用新型
    ZL201020600412.6
    一种包含特殊功率端子的功率模块上海道之
    2010.11.11 2011.08.10原始取得无
    80实用新型
    ZL201020600418.3
    一种功率模块可靠性试验夹具上海道之
    2010.11.11 2011.06.29原始取得无
    81实用新型
    ZL201020600426.8
    一种优化设计的功率模块测试夹具上海道之
    2010.11.11 2011.05.25原始取得无
    82实用新型
    ZL201020602278.3
    一种智能功率模块的功率封装结构上海道之
    2010.11.12 2011.12.14原始取得无
    83实用新型
    ZL201120288268.1
    一种薄型大功率半导体模块上海道之
    2011.08.10 2012.04.25原始取得无
    84实用新型
    ZL201120558734.3
    一种新型大功率模块上海道之
    2011.12.28 2012.09.12原始取得无
    85实用新型
    ZL201120558735.8
    一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块上海道之
    2011.12.28 2012.09.12原始取得无
    86实用新型
    ZL201120568032.3
    一种无焊接封装的功率模块上海道之
    2011.12.31 2012.11.07原始取得无
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-165序号专利类别
    专利号 专利名称专利权人
    申请日期 公告日期取得方式他项权利
    87实用新型
    ZL201120571358.1
    大功率 IGBT 模块测试夹具上海道之
    2011.12.31 2012.11.07原始取得无
    88实用新型
    ZL201520871004.7
    一种具有双缓
    冲层的 FS 型
    IGBT 器件上海道之
    2015.11.04 2016.06.01原始取得无
    89实用新型
    ZL201620178345.0
    一种功率半导体模块上海道之
    2016.03.09 2016.08.03原始取得无
    90实用新型
    ZL201620178348.4
    一种无铜基板散热的功率模块上海道之
    2016.03.09 2016.08.03原始取得无
    91实用新型
    ZL201620178349.9均热板散热基板功率模块结构上海道之
    2016.03.09 2016.08.03原始取得无
    92实用新型
    ZL201620182521.8
    一种用于功率模块的卡环固定结构上海道之
    2016.03.10 2016.08.03原始取得无
    93实用新型
    ZL201720080827.7集成水冷散热器的功率模块上海道之
    2017.01.22 2017.09.05原始取得无
    94实用新型
    ZL201720081079.4绝缘栅双极型晶体管模块上海道之
    2017.01.22 2017.10.20原始取得无
    95实用新型
    ZL201720863840.X
    一种功率模块用水冷散热基板上海道之
    2017.07.17 2018.03.30原始取得无
    96实用新型
    ZL201720864791.1绝缘栅双极型晶体管模块上海道之
    2017.07.17 2018.03.30原始取得无
    97实用新型
    ZL201720863838.2水冷绝缘栅双极型晶体管
    IGBT 模块上海道之
    2017.07.17 2018.08.24原始取得无
    98实用新型
    ZL201820135920.8芯片双面焊接的环氧塑封车用功率模块上海道之
    2018.01.26 2018.11.23原始取得无
    99实用新型
    ZL201820136570.7双面散热环氧塑封的车用功率模块上海道之
    2018.01.26 2018.11.23原始取得无
    公司的上述专利技术系自行研发取得,系公司研发人员在公司工作期间形成,非沈华等发行人核心技术人员在原工作单位职务发明基础上研发的,属于公司研发人员在公司的职务成果,公司对上述专利拥有合法的所有权,不存在权属纠纷。其中,部分专利为斯达微电子被公司吸收合并而注销后,原斯达微电子拥有专利权的专利权人变更为公司和上海道之,并仍由公司及子公司正常使用,不存在权属纠纷。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-166
    3、注册商标
    截至招股意向书出具之日,发行人及其境内子公司依法在中国境内取得的注册商标共 3 项,具体情况如下:
    序号 商标内容 注册人 注册证号 有效期 核定范围 他项权利
    1斯达股份
    15103297
    2016.03.07-
    2026.03.06
    第 9 类 无
    2斯达股份
    6000796
    2010.02.07-
    2020.02.06
    第 9 类 无
    3斯达股份
    5980351
    2010.01.07-
    2020.01.06
    第 9 类 无
    4、域名
    截至招股意向书出具之日,发行人及其境内子公司拥有的域名共 3 项,具体情况如下:
    序号 持有人 域名 注册日期 到期日期
    1 斯达股份 starpowerchina.com 2014.04.28 2024.04.28
    2 斯达股份 powersemi.com 2005.03.25 2024.03.25
    3 斯达股份 powersemi.cc 2007.10.10 2020.10.10
    (三)资产许可使用及纠纷情况
    截至本招股意向书签署日,公司作为许可方,于 2017 年将上海道之 3 号楼
    和 4 号楼对外出租给上海皑壹汽车科技(上海)有限公司和迈擎自动化(上海)有限公司。具体情况如下:
    序号承租人出租人位置租赁面
    积(m2)
    租赁期限 租金 用途
    1上海皑壹汽车科技(上海)有限公司上海道之上海市嘉定区
    清能路 85 号,上海道之园区#3 幢(二层、三层)
    1609.6
    2017.9.20-
    2022.9.19
    第一至第三
    年71.85万元/
    年;第四至第
    五年 80.47 万
    元/年办公及生产
    2迈擎自动化(上海)有限公司上海道之上海市嘉定区
    清能路 85 号,上海道之园区
    #4 号楼
    3219.22
    2017.9.20-
    2022.9.19
    第一至第三
    年143.7万元/
    年;第四至第
    五年 160.95
    万元/年办公及生产
    3迈擎自动化(上海)有限公司上海道之上海市嘉定区
    清能路 85 号,上海道之园区
    1609.6
    2017.9.20-
    2022.9.19
    第一至第三
    年71.85万元/
    年;第四至第办公及生产
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-167
    #3 幢(一层) 五年 80.47 万
    元/年
    截至本招股意向书签署日,公司不存在作为许可方,允许他人使用自己所拥有的知识产权、非专利技术等无形资产的情况。
    (四)业务许可资质
    截至本招股意向书签署日,公司已经取得了生产经营应当具备的资质许可。
    公司相关业务许可资质的具体情况如下:
    企业名称
    证书或批文类型 有效期 取得方式 核准部门对发行人的作用发行人中华人民共和国报关单位注册登记证
    书(海关注册编码
    为 3304931690)
    长期 申请获批中华人民共和国嘉兴海关办理报关业务的必要凭证排污许可证(编号
    浙 FN2016B0194)
    2016 年 5
    月 5 日
    -2021 年 5
    月 4 日
    申请获批 嘉兴市南湖区环境保护局环保部门允许企业排放一定数量污染物的凭证辐射安全许可证
    (浙环辐证
    〔F2266〕)
    2018 年 6
    月 27 日
    -2023 年 6
    月 26 日申请获批浙江省环境保护厅使用射线装置必备的凭证特种设备使用登记
    证(车 11 浙 F06380
    (18))
    / 申请获批嘉兴市南湖区市场监督管理局经营场所内使用叉车的必要凭证上海道之中华人民共和国报关单位注册登记证
    书(注册编码为
    3114965962)
    长期 申请获批中华人民共和国嘉定海关企业办理报关业务的凭证对外贸易经营者备案登记表(备案登记表编号
    01784991)
    /申请并予以办理上海市嘉定区市场监督管理局办理进出口的报关验放手续的必要条件出入境检验检疫报检企业备案表(备案编号
    3100684597)
    /申请并予以办理中华人民共和国嘉定海关办理出入境报检业务的必要条件排水许可证(沪水务排证字第
    JDPX20160502 号)
    2016 年 10
    月 12 日
    -2021年10
    月 11 日申请获批上海市嘉定区水务局水务部门向城市排水管网及其附属设施排放污水的必要凭证
    公司维持或再次取得相关重要资质的具体情况如下:
    公司及其子公司目前取得的报关单位注册登记证书有效期为长期有效,在公嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-168
    司及其子公司合法合规开展业务的情况下,不存在需要再次取得的情形。针对对外贸易经营者备案登记表、排污许可证、排水许可证、辐射安全许可证以及特种设备使用登记证,报告期内,公司会安排专人对上述登记、许可事宜的变更、延续情况予以密切关注,并根据正常续期办理所需时间,提前申请续期。上述资质维持或再次取得均不存在法律风险或障碍。
    (五)土地使用权及房产的抵押情况
    截至本招股意向书签署日,公司及其子公司拥有的土地使用权及房屋所有权抵押情况如下:
    抵押人 抵押物权证号 抵押权人最高担保金额(万元)公司
    嘉南土国用(2015)第1043176号交通银行股份有限公司嘉兴分行
    9200
    嘉南土国用(2015)第1043179号
    嘉南土国用(2015)第1043181号嘉房权证南湖区字第00521889号嘉房权证南湖区字第00521890号嘉房权证南湖区字第00582252号嘉房权证南湖区字第00582130号嘉房权证南湖区字第00582129号嘉房权证南湖区字第00582131号嘉房权证南字第00677382号嘉房权证南字第00677383号嘉房权证南字第00677384号上海道之
    沪(2017)嘉字不动产权第020936号中国银行股份有限公司嘉兴南湖支行
    5892.99
    公司及子公司上述抵押担保行为系为自身生产经营筹集资金所用,不存在为
    第三方提供担保的情形,属于正常的企业经营行为,上述资产的所有权人仍为公
    司及其子公司,且上述抵押担保情况不影响公司及其子公司对上述资产的正常使用。公司商业信用持续保持良好水平,报告期内未发生过逾期还款或者违约的情形。同时,报告期内公司经营形势良好,公司具备以自有资金按期归还借款的能力。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-169
    浙江谷蓝与中国银行股份有限公司嘉兴南湖支行签署的《最高额抵押合同》约定浙江谷蓝以土地及房产为发行人与中国银行股份有限公司嘉兴南湖支行之
    间自 2016 年 1 月 28 日起至 2019 年 1 月 27 日的主债权提供最高额抵押担保。截
    至本招股意向书签署日,其土地使用权及房屋所有权抵押已经解除。
    截至本招股意向书签署日,公司签署的银行借款及相关抵押合同均处于正常履行中,不存在贷款或融资违约的情形,公司与债权人之间不存在诉讼、仲裁或纠纷,不存在导致抵押权人行使抵押权的情形,该等房产、土地按合同约定由抵押权人行使抵押权的风险可控。
    截至本招股意向书签署日,公司不存在任何资产纠纷情况。
    六、公司拥有的特许经营权情况
    截至本招股意向书签署日,公司无特许经营权。
    七、公司技术及研发情况
    (一)核心技术发展历程
    公司核心技术发展历程如下:
    (1)IGBT 模块设计、制造和测试:公司自成立之初就专心进行 IGBT 产品
    的研发、相关人才的培养和上游产业链的培育。经过一年多的研发,公司在 2007年成功完成了 IGBT 模块关键技术工艺的开发,如真空氢气无气孔焊接技术、超声波键合技术、测试和老化技术等,并于当年成功推出了第一款 IGBT 模块。随着公司技术的不断积累和进步,先后推出了各系列 IGBT 模块:
    1)2007 年,公司成功完成了 IGBT 模块关键技术工艺的开发,如真空氢气
    无气孔焊接技术、超声波键合技术、测试和老化技术等,并于当年成功推出了第
    一款 IGBT 模块。
    2)2010 年,通过对模块内部的电磁场分布、温度场分布进行优化,可以使
    DBC 板直接和散热器连接 省掉了 DBC 板焊接到铜基板的工艺过程,推出了无基板的小功率模块系列;
    3)2011 年,公司攻克了 IGBT 模块的电磁场分布仿真及结构设计、金属端
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-170
    子外壳插接和注塑等技术,研发出公司工业级中等功率模块系列;
    4)2012 年,公司攻克了大功率半导体器件的串并联及动静态均流、均压技
    术、多 DBC 并联等技术,研发出公司工业级大功率 IGBT 模块系列;
    5)2013 年,公司攻克了超声波焊接端子、铜基板集成散热器等技术,研发出公司汽车级模块系列;
    6)2015 年,公司攻克了银浆烧结、铜线键合等技术,研发出公司碳化硅模块系列;
    7) 2017 年,公司攻克了多功能集成功率组件设计及封装工艺技术,研发出
    车用 48V BSG 功率组件产品。
    8)2019 年,公司攻克了双面焊接、塑封工艺等技术,研发出车用双面焊接模块系列。
    (2)IGBT 芯片:IGBT 芯片是 IGBT 模块中最核心的原材料,研发难度较大,市场上可选择的供应商资源较少,客户验证周期较长,故公司较早开始布局研发 IGBT 芯片。2012 年,公司成功独立研发出了 NPT 型 IGBT 芯片,并于 2012年实现量产。2015 年,公司成功独立研发出了最新一代 FS-Trench 型 IGBT 芯片,与市场主流的进口芯片性能相当,并于 2016 年底实现量产。到 2018 年底公司已量产所有型号的 IGBT 芯片。
    (3)快恢复二极管芯片:快恢复二极管芯片较 IGBT 芯片来说研发难度相
    对较低且市面上可以选择的供应商较多,多个品牌的可替代性保证在发行人发展过程中不会出现对某个供应商存在重大依赖情形,故公司开始研发快恢复二极管的时间较晚。2017 年底,公司成功研发出漏电流小,正温度系数的快恢复二极管芯片,并实现量产。到 2018 年底公司已量产所有型号的快恢复二极管芯片。
    (二)公司核心技术具体情况
    公司的核心技术为 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片的设计、工艺和测试及
    IGBT 模块的设计、制造和测试。其中,IGBT 芯片技术包括 IGBT 芯片场终止设
    计、IGBT 芯片高压终端环设计、超薄片工艺、大功率半导体器件的串并联技术及动静态均流均压技术;快恢复二极管芯片技术包括局部和全局少子寿命控制技
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-171
    术的协调设计,场终止层的优化设计,高压终端区域和阳极设计相匹配的离子注入和扩散工艺以及高可靠性的钝化层淀积工艺;IGBT 模块制造技术包括 IGBT
    模块的结构设计技术、IGBT 模块的生产工艺及对功率半导体器件的静态、动态电参数及热参数测试的技术等。公司的核心技术均为自主研发创新,目前针对上述核心技术已成功申请了 99 项专利,其中包括 28 项发明。公司主要核心技术、技术来源、创新方式、技术水平及成熟程度情况详见下表:
    核心技术 技术来源 成熟程度
    IGBT 芯片及快恢复二极管芯片相关技术 自主研发 已实现大规模量产
    大功率模块:大功率半导体器件的串并联技术
    及动静态均流均压技术,基板预弯补偿技术,
    多 DBC 并联技术
    自主研发 已实现大规模量产
    小功率模块:真空氢气无气孔焊接技术,温度场分布仿真技术,无基板技术,接插件技术,芯片表面键合技术
    自主研发 已实现大规模量产
    工业级中等功率模块:IGBT 模块的电磁场分
    布仿真及结构设计技术,金属端子外壳插接和注塑技术
    自主研发 已实现大规模量产
    车用模块:超声波焊接端子技术,金属端子注塑技术,基板集成散热器技术自主研发 已实现大规模量产
    碳化硅模块:银浆烧结技术、铜线键合技术 自主研发 已实现批量生产
    1、IGBT 芯片及快恢复二极管芯片相关技术
    公司目前已经开发出平面栅 NPT 型 1200V 全系列 IGBT 芯片和沟槽栅场终
    止 650V、750V、1200V 及 1700V 全系列 IGBT 芯片,成功解决了包括 8 英寸晶
    圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火激活技术以及沟槽栅挖槽成型技术等关键工艺技术。
    公司已成功研发出了适合于大功率工业级和车用级模块的快恢复二极管芯片,成功解决了局部和全局少子寿命控制技术的协调设计,场终止层的优化设计,高压终端区域和阳极设计相匹配的离子注入和扩散工艺以及高可靠性的钝化层淀积工艺等核心工艺技术。
    2、大功率模块
    大功率半导体器件的串并联技术及动静态均流、均压技术:大功率的 IGBT模块要并联多个芯片,需要通过设计保证所有并联的芯片在静态和动态条件下的分流均匀;对于应用于高压环境中的串联模块,需要保证静态和动态条件下模块嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-172间分压均匀。公司已经掌握上述技术,并在生产中得到良好应用,产品可靠性和稳定性高,已经受到市场的普遍认可。
    多 DBC 并联技术:在大功率模块中,通常需要并联多个 DBC 板,公司通过
    优化 IGBT 模块中的 DBC 布局,最大可实现 6 个 DBC 板的并联,且能保证 DBC板之间的一致性,从而提高了整个模块的可靠性,使产品适合于风力发电、光伏发电、轨道交通等大功率领域。
    3、小功率模块
    真空氢气无气孔焊接技术:芯片和 DBC 板之间的焊接是 IGBT 模块生产的
    主要流程之一,在此过程中如何避免产生芯片和 DBC 板之间产生气孔是一大难点,公司通过研发和多次试验,研发出了真空氢气无气孔焊接技术,能确保芯片
    和 DBC 板之间气孔率极低。
    温度场分布仿真技术:通过计算机仿真技术真实的模拟 IGBT 模块运行时内
    部的温度变化及分布情况,在此基础上进行产品设计,确保产品在温度变化导致热胀冷缩的情况下仍能正常工作。
    无基板技术:通过使用优质的 DBC 板,并对模块内部的电磁场分布、温度场分布进行优化,省掉了 DBC 板焊接到铜基板的工艺过程,可以使 DBC 板直接和散热器连接,从而有效的降低模块成本。
    接插件技术:在模块内部的电气连接中使用压接技术,提高了功率循环和热循环能力,增加了连接的可靠性,同时降低了生产成本。
    4、工业级中等功率模块
    IGBT 模块的电磁场分布仿真及结构设计技术:根据应用的要求对模块内部
    的电磁场分布进行优化,对模块内部电路结构和外壳结构进行设计,实现了非常高的爬电和电气距离,使之能适应极为恶劣的工业环境,提高了模块的可靠性。
    金属端子外壳插接和注塑技术:使用铝线或者铝带键合连接端子和 DBC,减少了端子焊接环节,提高了自动化程度,降低了生产成本。
    5、车用模块
    超声波焊接端子技术:将金属端子直接和 DBC 压接在一起,不使用焊料焊嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-173接,可以提高模块的耐高温性能和高可靠性,从而满足汽车对模块的高可靠性要求。
    铜基板集成散热器技术:汽车用 IGBT 模块发热量大,所用的散热器面积大、厚度高,在加热焊接铜基板和散热器时,由于二者散热较快,加热其表层用时较长且很难保证二者结合的紧密和均匀程度。公司通过研发克服了这一困难,实现了直接在铜基板上集成了散热器,可以实现非常低的热阻,适合中端功率的汽车领域。
    6、碳化硅模块相关技术
    银浆烧结技术:采用银浆烧结后连接层熔点可达到 900 度以上,为锡焊工艺连接层熔点的 4 倍,适合于工作温度在 200 度以上的应用领域;银浆烧结层的电导、热导分别是锡焊连接层的 5 倍和 4 倍;密度和热膨胀系数两者基本相当,剪切强度为锡焊的 2 倍;故与传统焊接工艺相比,银浆烧结工艺优势较为明显。从热阻和可靠性的角度考虑,因为传统锡焊的焊料层厚度一般在 80 微米左右,而银浆烧结层的厚度仅为 15 微米左右,因银浆烧结工艺具有低的连接层厚度和高的热导率,故在降低芯片热阻的同时,可提高芯片的抗功率循环能力 2 倍以上。
    铜线键合技术:铜线相较于铝线,其熔点从 660C 提高到 1083C,可大幅度提高铝线的过流能力。同时其热导率、电阻率以及杨氏模量均大幅优于铝线,并且其热膨胀系数从铝线的 23.6 降为 16.5,可大幅降低芯片工作时升降温的连接层应力,提高芯片的抗功率循环能力。从热阻和可靠性的角度考虑,因为铜的热导率远高于铝,结合芯片表面的铜金属化工艺,可大幅提高芯片的表面热容,降低芯片结温波动,提高芯片的功率循环能力,预期抗功率循环能力可提高 10 倍以上。
    (三)公司技术储备情况
    公司自 2006 年开始功率半导体模块的研发工作以来,完成了多个研发项目,有部分研发项目已经实现了产品的大批量生产并实现收入,同时公司又开展了下
    一代新型功率半导体产品的研发,为公司的持续发展打下基础。公司目前正在实
    施的研发项目如下:
    序号 项目名称 进展情况 拟达到的目标
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-174
    序号 项目名称 进展情况 拟达到的目标
    1应用于新能源汽车的
    新一代 IGBT 模块开发项目目前已经完成主要功能部件的开发,对样品进行了验证
    2018 年完成客户端小批量验证,2019 年大批量生产
    2应用于风电的高集成
    度 IGBT 模块项目目前已完成方案验证阶段及样品生产
    2018 年完成客户验证,
    2019 年实现量产
    3
    应用于光伏、UPS 及大功率变频器行业的三电平模块项目
    目前已经开发出小功率、中等功率和大功率的NPC1和NPC2类型等
    三电平模块,有多种封装形式可以
    提供三电平模块
    进一步完善产品系列,
    2018 年底提供全系列产品
    4宽禁带半导体器件功率模块开发目前已经开发出应用于光伏的
    SiC 器件模块,供客户批量使用,车用 SiC 模块已完成样品认证
    进一步完善产品系列,
    2019 年完善光伏应用
    的 SiC 器件及应用于新
    能源汽车的 SiC 模块产品
    5
    应 用于变 频家电 的
    IPM 模块
    已经完成样品研制,并小批量生产根据市场开发情况择时大批量生产
    6 IGBT 芯片开发项目
    目前已经成功研发出平面栅 NPT
    型1200V全系列 IGBT芯片和沟槽
    栅场终止型 650V、750V、1200V
    和 1700V 全系列 IGBT 芯片
    2022 年前完成新一代
    IGBT 芯片的研发并批量生产
    7
    快恢复二极管芯片项目
    目前已研发出标准型650V、750V、
    1200V 和 1700V 全系列快恢复二极管芯片
    2021 年前完成新一代高性能快恢复二极管芯片的研发并批量生产
    8应用于燃油车微混系
    统的 48V BSG 功率组件项目
    目前已完成产品设计、设计验证及可靠性验证
    2020 年实现批量装车应用
    (四)研发费用情况
    本公司高度重视研发工作,研发投入一直保持在较高水平。报告期内,公司各年研发费用占营业收入的比例情况如下:
    单位:万元
    项目 2019 年 1-6 月 2018 年度 2017 年度 2016 年度
    营业收入 36644.98 67536.77 43798.24 30066.38
    研发费用 2324.81 4904.47 3841.05 2865.59
    比例 6.34% 7.26% 8.77% 9.53%
    公司实际发生的研发费用类别按照物料费用、职工薪酬、折旧摊销费、其他
    费用等四个明细项目进行归集,其中职工薪酬主要系公司从事研究开发活动人员
    的全年工资薪金,包括基本工资、奖金、津贴、补贴等;物料费用包括公司为实施研究开发项目而购买的原材料等相关支出、用于中间试验和产品试制达不到固定资产标准的模具购置费、试制产品的检验费以及用于研究开发活动的仪器设备嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-175的简单维护费等;折旧摊销费包括公司为执行研究开发活动而购置的仪器和设备以及研究开发项目在用建筑物的折旧费用;其他费用包括为研究开发活动所发生
    的其他费用,如差旅费、办公费、通讯费、专利申请维护费等。
    报告期内公司的主要研发项目及其项目情况如下表:
    序号 项目名称 进行时间 项目情况
    1应用于风力发电的
    1700VIGBT 芯片开发项目
    2017 年至今
    针对风力发电应用的大功率高可靠性要求,与风电变流器客户联合开发全系列风电用 IGBT芯片
    2新能源车用双面焊接单面冷却模块
    2016 年至今
    该项目为针对下一代新能源车用控制器应用,可大幅提高控制器功率密度,同时降低成本
    3新能源车用双面焊接双面冷却模块
    2016 年至今
    该项目为针对下一代新能源车用控制器应用,可大幅提高控制器功率密度,同时降低成本
    4 新能源车用模块 2016 年至今 该模块主要用于新能源乘用车,为新一代产品
    5
    一种新型的车载碳化硅功率模块
    2018 年至今该项目针对终端客户提升新能源汽车续航里程的需求,使用碳化硅芯片替代传统硅基芯片,有效降低损耗,提升功率密度
    6
    一种低电感涉及的
    SiC 功率模块
    2019 年至今
    该项目针对轨道交通辅助电源的需求,使用低电感设计配合银奖烧结工艺,实现高可靠性以及高转化效率
    (五)技术创新机制与安排
    1、研究开发管理体系
    IGBT 模块的特点是系统应用、器件设计和工艺加工密切结合,要实现 IGBT
    模块的大批量生产,需要对上述三方面均有深入了解。结合上述特点,公司建立了由设计部、应用部、工艺部、产品部、设备部、生产部组成的协同研发体系。
    首先,应用部会根据产品在客户产品系统中的应用情况将客户对产品的要求反馈给设计部。设计部根据公司的发展战略及应用部的反馈制订开发计划,并和工艺部、设备部共同完成产品的电路、结构、机械设计以及可实现的工艺途径,生产过程中需要用到的各种辅助器件的设计等。最后由生产部生产出样品后,由产品部负责生产工艺的贯彻、调试以及验证、工序能力分析,检测产品是否达到设计目标并和设计、工艺部门共同寻找改进方案。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-176
    图 6-7 公司研发体系示意图
    管理层 设计部应用部工艺部设备部
    生产部 产品部测试结果沟通反馈客户需求公司规划
    2、研究开发管理制度
    公司按照 IATF16949 以及 ISO9001 体系要求建立了完善的质量管理手册,在其中对产品实现的策划、产品的设计和开发,产品的监视和测量、数据分析、持续改进等都做出了规定。依据质量管理手册,公司制定了设计和开发的控制程序对新产品的设计开发过程进行控制,确保了公司在技术创新方面的持续性;制定了数据分析控制程序和工程变更程序,以保证公司在产品质量和降低生产成本方面的持续改进。
    此外,公司采取了以下方式以促进内部的技术创新:
    (1)通过对骨干员工进行股权激励增强了员工对企业的归属感,提高了员工的积极性。
    (2)成立了专门的应用部,深入跟踪了解公司产品在下游客户中的使用情况,把 IGBT 模块在系统中的应用经验和新产品的开发相结合,推动以客户为中心的产品创新。
    (3)在资金、人员上对新产品研发给予保障,每个项目配备了专职的研发
    项目负责人,随时跟进研发产品的进度,协调设计部与工艺、测试、生产、销售、采购等各部门的衔接。
    (4)保持对行业先进技术的跟踪和交流。公司不定期的组织员工参加行业
    及上下游的各种学术会议,与行业专家进行交流,并保持了密切的联系。
    3、研究开发人员情况
    截至报告期末,公司共有研究开发人员 132 名,占公司员工总数的 21.82%。
    公司核心技术人员为沈华、汤艺、戴志展、刘志红和胡少华,其主要负责的技术研究方向如下:
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-177
    沈华先生有多年 IGBT 相关技术研发及生产管理经验,目前作为公司董事长及总经理,负责把控公司战略发展方向;汤艺女士有多年的 IGBT 芯片技术研发及管理经验,目前作为公司副总经理及技术副总裁,负责公司 IGBT 芯片技术的研发工作;戴志展先生拥有多年半导体元器件设计及系统应用经验,目前作为公司副总经理,负责公司产品测试和系统应用工作;刘志红先生一直从事模块设计开发工作,拥有丰富的模块技术研发以及实践经验,现任公司研发部总监,负责公司模块封装技术的研发工作;胡少华先生一直从事模块制造工艺的开发工作,在模块制造工艺方面有丰富的行业经验和技术积累,现任公司工艺部总监。
    4、公司研发的具体分类和研发流程
    公司的研发按研发对象主要分为 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片及其他芯片的研发、IGBT 模块的研发。公司研发流程具体情况如下:
    八、公司境外经营情况
    公司的境外经营主体为斯达欧洲,主要负责海外销售业务以及部分前沿科技研究工作。该公司的详细情况参见“第五节 发行人基本情况”之“七、发行人控股公司、参股公司的基本情况”。
    九、质量控制情况
    (一)质量控制标准
    1、质量管理体系
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-178
    本公司通过了 IATF16949:2016 和 ISO9001:2015 质量管理体系认证,并取得了该质量管理体系认证证书,制订了质量管理手册。公司根据该体系的要求制定、执行本公司的质量控制程序,包括采购控制、生产和服务提供控制、产品的监视和测量控制等质量控制程序文件。
    2、产品遵守的标准
    公司产品主要参考半导体器件部分国家标准、国际电工委员会的相关标准及企业自行制定的标准。
    3、质量检验报告
    公司的工业变频用 IGBT 模块系列、高压工业变频用 IGBT 模块系列、太阳能光伏逆变用 IGBT模块系列、超快速系列电焊机用 IGBT模块系列、汽车级 IGBT模块系列等中有多款产品通过了浙江省电子产品检验所或浙江省电子信息产品检验所的检测。
    (二)质量控制措施
    IGBT 模块为下游产品中的核心器件。公司历来高度重视产品质量,近年来公司客户数量的不断增加和老客户采购量的扩大也正是由于对公司产品质量的
    认可。2011 年,中国电工技术学会电气节能专业委员会向公司颁发了“IGBT 系列产品质量优秀奖”。
    公司通过了 IATF16949:2016 和 ISO9001:2015 质量管理体系认证,并遵循“科技领先,开拓创新;持续改进,顾客满意”的质量方针,设立了严格的质量控制流程来保证产品质量。公司根据实际生产过程制定了质量手册、程序文件、作业指导书及流程规范等质量控制体系文件,对产品开发、生产、测试的各个环节进行具体的控制。公司根据质量手册制订了质量控制的相关程序文件,形成了相关的作业指导及程序控制规范文件等,保证公司产品在生产过程中质量可控。
    公司建立了完善的质量管理组织结构,成立了质量部、产品部、应用部、客服部等部门,协同生产部形成了多层次的质量控制体系,保证了较高的良品率。
    其中质量部负责产品可靠性测试、负责处理顾客品质投诉、统计各环节的质量信息,提出质量改进措施等。产品部负责处理量产产品生产过程中的工艺、技术和产品质量问题,提出工艺、工装改良,负责工艺贯彻、调试以及验证、工序能力分析,产品的生产测试和可靠性测试等。应用部门负责售前及售后的客户技术支嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-179持工作,产品失效分析并撰写失效分析报告等,并会协助客户研究 IGBT 如何在客户产品中得到更好的应用,也会根据客户应用情况的反馈,不断进行产品的改进。客服部保持和客户的沟通,了解客户对产品质量的满意情况,受理客户投诉,并将客诉信息向相关部门反馈。
    图 6-8 公司质量控制体系示意图
    采购部 生产部 产品部质量部物管部应用部客服部
    公司的供应商均经过严格的挑选和考察,且主要原材料均从国外知名企业采购,以确保原材料质量。公司在产品生产过程中设置了多个在线产品检测工序,包括对半成品的检测、中间测试、模块初测等,以确保产品合格进入下一道工序。
    最终产品生产完成后要进行模块终测和老化测试,以确保符合客户要求,此外,公司还不定期的抽查产品进行可靠性测试。
    (三)产品质量纠纷
    公司近三年来遵守国家有关质量的法律法规,产品符合国家关于产品质量、标准和技术监督的要求,未受到任何质量方面的行政处罚。截至本招股意向书签署日,公司未发生重大产品质量纠纷。
    根据嘉兴市质量技术监督局南湖区分局于 2018 年 9 月 5 日、2019 年 3 月 11
    日和 2019 年 7 月 5 日出具的《证明函》,公司及斯达电子报告期内未有因违反
    产品质量或技术监督方面法律法规而被该局处罚的情形,该局亦未收到有关公司及斯达微电子产品质量方面的投诉和检举。
    根据海宁市质量技术监督局于 2018 年 8 月 24 日、2019 年 3 月 3 日和 2019
    年 7 月 11 日出具的《证明》,未发现浙江谷蓝报告期内有因产品质量不符合国
    家有关产品质量管理规定和要求而被该局处罚的情形,也未收到有关浙江谷蓝产品质量方面的投诉或检举。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-180
    根据上海市嘉定区质量技术监督局于 2018 年 9 月 4 日、2019 年 2 月 21 日和
    和 2019 年 7 月 29 日出具的《证明函》,未发现上海道之报告期内有因产品质量
    不符合国家有关产品质量管理规定和要求而被该局处罚的情形,也未收到有关上海道之产品质量方面的投诉或检举。
    嘉兴斯达半导体股份股份有限公司 首次公开发行 A 股股票招股意向书(申报稿)
    1-1-181
    第七节

转至斯达半导(603290)行情首页

当前页面生成股票行情总用时: 毫秒(From 生成),查询耗时:62.4976
中财网免费提供股票、基金、债券、外汇、理财等行情数据以及其他资料,仅供用户获取信息。